[發明專利]半導體元件處理系統、半導體元件處理裝置及半導體元件處理方法有效
| 申請號: | 201811621243.1 | 申請日: | 2018-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN110098136B | 公開(公告)日: | 2021-12-14 |
| 發明(設計)人: | 劉晏宏;陳鴻文;陳哲夫 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/677;B25J9/00;B25J13/08;B25J19/02 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 元件 處理 系統 裝置 方法 | ||
在一實施例中,一種系統包括:氣閘;第一半導體處理腔室;第二半導體處理腔室;及傳送模塊,配置以將感測器移動到第一半導體處理腔室及第二半導體處理腔室中,及移動出第一半導體處理腔室及第二半導體處理腔室,其中感測器配置以:當在第一半導體處理腔室內時,收集表征第一半導體處理腔室的感測器數據;及當在第二半導體處理腔室內時,收集表征第二半導體處理腔室的感測器數據,其中傳送模塊、第一半導體處理腔室及第二半導體處理腔室在氣閘的第一側面上的受控內部大氣內,并且藉由氣閘而與在氣閘的第二側面上的不受控外部大氣分離。
技術領域
本揭示有關于半導體元件處理系統、半導體元件處理裝置及半導體元件處理方法。
背景技術
現代制造制程通常經高度自動化來操縱材料及裝置,并且產生成品。品質控制及維護制程經常依賴于在制造及成為成品期間人類對檢查所制造產品的經驗、知識及專業技術。
發明內容
本揭示提供一種半導體元件處理系統,其包含氣閘;第一半導體處理腔室;第二半導體處理腔室;以及傳送模塊,配置以將感測器移動到第一半導體處理腔室及第二半導體處理腔室中,以及移動出第一半導體處理腔室及第二半導體處理腔室。感測器配置以:當在第一半導體處理腔室內時,收集表征第一半導體處理腔室的感測器數據;以及當在第二半導體處理腔室內時,收集表征第二半導體處理腔室的感測器數據。傳送模塊、第一半導體處理腔室及第二半導體處理腔室在氣閘的第一側面上的受控內部大氣內,并藉由氣閘而與在氣閘的第二側面上的不受控外部大氣分離。
本揭示另提供一種半導體元件處理裝置,其包含機器臂。機器臂配置以將晶圓移動到第一腔室及第二腔室中,以及移動出第一腔室及第二腔室。機器臂包含感測器。感測器配置以:當在第一腔室內時,收集表征第一腔室的感測器數據;以及當在第二腔室內時,收集表征第二腔室的感測器數據。
本揭示另提供一種半導體元件處理方法,其包含:在氣閘處接收晶圓;將氣閘中的氣壓轉換為與設定壓力位準相等;在處于設定壓力位準的環境中將晶圓從氣閘傳送到第一半導體處理腔室;從在夾持手處的感測器收集第一感測器數據,第一感測器數據表征當晶圓在第一半導體處理腔室內時的第一半導體處理腔室;在處于設定壓力位準的環境中將晶圓從第一半導體處理腔室傳送到第二半導體處理腔室;以及從感測器收集第二感測器數據,第二感測器數據表征當晶圓在第二半導體處理腔室內時的第二半導體處理腔室。
附圖說明
當結合隨附附圖閱讀時,自以下詳細描述將很好地理解本揭示的態樣。注意到,各個特征并非必須按比例繪制。事實上,出于論述清晰的目的,可任意增加或減小各個特征的尺寸及幾何形狀。
圖1A是根據一些實施例繪示機器臂上的夾持手感測器的示意圖;
圖1B是根據一些實施例繪示可在不同半導體處理腔室之間移動的機器臂上的夾持手感測器的示意圖;
圖1C是根據一些實施例繪示到達半導體處理腔室中的機器臂的橫截面圖;
圖2是根據一些實施例繪示機器臂上的夾持手感測器的示意圖;
圖3A是根據一些實施例繪示其中機器臂可起作用的工作站的示意圖;
圖3B是根據一些實施例繪示具有輸入及輸出氣閘的工作站的示意圖;
圖3C是根據一些實施例繪示具有用于每個半導體處理腔室的獨立氣閘的工作站的示意圖;
圖3D是根據一些實施例繪示具有一次可運輸多個晶圓的機器臂的工作站的示意圖;
圖4是根據一些實施例繪示夾持手感測器功能模塊的各個功能模塊的方塊圖;
圖5是根據一些實施例繪示到受控環境中的傳送流程的流程圖;
圖6是根據一些實施例繪示夾持手感測器制程的流程圖。
【符號說明】
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





