[發明專利]一種晶硅太陽能電池用多層減反射膜結構及其沉積方法

在審

• 申請號: 201811620465.1
• 申請日: 2018-12-28
• 公開（公告）號: CN109494262A
• 公開（公告）日: 2019-03-19
• 發明（設計）人: 姚悅;張樹德;魏青竹;倪志春;連維飛;胡黨平
• 申請（專利權）人: 蘇州騰暉光伏技術有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/18;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/513
• 代理公司: 蘇州華博知識產權代理有限公司 32232
• 代理人: 黃麗莉

1.一種晶硅太陽能電池用多層減反射膜結構，其特征在于，包括：晶硅電池和氧化物層，所述晶硅電池和所述氧化物層之間設有一層、二層、三層或四層以上氮化硅層。

2.根據權利要求1所述的晶硅太陽能電池用多層減反射膜結構，其特征在于，當氮化硅層為二層以上時，這二層呈垂直對稱設置的氮化硅層為第一氮化硅層和第二氮化硅層。

3.根據權利要求2所述的晶硅太陽能電池用多層減反射膜結構，其特征在于，所述晶硅電池和所述氧化物層之間設有第一氮化硅層，所述第一氮化硅層與所述氧化物層之間設有第二氮化硅層。

4.根據權利要求3所述的晶硅太陽能電池用多層減反射膜結構，其特征在于，所述第一氮化硅層的折射率范圍為2.30-2.45，所述第一氮化硅層厚度為15-20nm。

5.根據權利要求4所述的晶硅太陽能電池用多層減反射膜結構，其特征在于，所述第二氮化硅層的折射率范圍為2.00-2.10，所述第二氮化硅層厚度為40-45nm。

6.根據權利要求5所述的晶硅太陽能電池用多層減反射膜結構，其特征在于，所述氧化物層的折射率范圍為1.40-1.60，所述氧化物層厚度為15-20nm。

7.根據權利要求6所述的晶硅太陽能電池用多層減反射膜結構，其特征在于，所述氧化物層為氧化硅薄膜、氧化鋁薄膜或氧化鈦薄膜中的任一種。

8.一種晶硅太陽能電池用多層減反射膜結構沉積方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)利用等離子體增強化學的氣相沉積法設備，氮氣攜帶反應氣體硅烷和氨氣，通過射頻產生等離子體反應在晶硅電池上沉積第一氮化硅層；

2)利用等離子體增強化學的氣相沉積法設備，氮氣攜帶反應氣體硅烷和氨氣，通過射頻產生等離子體反應在第一氮化硅層上沉積第二氮化硅層；

3)利用等離子體增強化學的氣相沉積法設備，氮氣攜帶硅烷和一氧化二氮，通過射頻產生等離子體反應在第二氮化硅層上沉積氧化物層。

9.根據權利要求8所述的晶硅太陽能電池用多層減反射膜結構沉積方法，其特征在于，步驟1)中的反應溫度為500℃-520℃，反應氣壓為1550MTorr-1650MTorr，硅烷反應氣體流量為960sccm-980sccm，氨氣反應氣體流量為5750sccm-5850sccm，步驟2)中的反應溫度為490℃-510℃，反應氣壓為1550MTorr-1650MTorr，硅烷反應氣體流量為為650sccm-670sccm，氨氣反應氣體流量為6990sccm-7010sccm，步驟3)中的反應溫度為490℃-510℃，反應氣壓為1490MTorr-1510MTorr，硅烷反應氣體流量為為790sccm-810sccm，一氧化二氮反應氣體流量為8490sccm-8510sccm。

10.根據權利要求9所述的晶硅太陽能電池用多層減反射膜結構沉積方法，其特征在于，步驟3)中的氧化物層為氧化硅薄膜。