[發明專利]一種基于無線充電的肖特基二極管及其制備方法

在審

• 申請號: 201811620033.0
• 申請日: 2018-12-28
• 公開（公告）號: CN109585571A
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發明（設計）人: 劉奕晨
• 申請（專利權）人: 西安科銳盛創新科技有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/16;H01L21/329
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 劉長春

1.一種基于無線充電的肖特基二極管的制備方法，其特征在于，包括：

選取SiO₂襯底；

在所述SiO₂襯底表面形成第一Ge層；

采用連續激光掃描所述第一Ge層，以及使連續激光掃描后的第一Ge層自然冷卻后再結晶；

在所述再結晶后的第一Ge層的表面形成第二Ge層；

對所述第二Ge層進行離子注入，形成第一N型Ge層；

在所述第一N型Ge層上形成第一電極和第二電極。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述再結晶后的第一Ge層的表面形成第二Ge層的步驟，包括：

采用磁控濺射的方法，在400℃～500℃下，將Ge靶材料濺射淀積在所述再結晶后的第一Ge層的表面，形成所述第二Ge層，其中，工藝壓力為1.5×10^-3mb，淀積速率為5nm/min，淀積厚度為600～700nm；

所述對所述第二Ge層進行離子注入，形成第一N型Ge層的步驟，包括：

在400℃～500℃下，在所述第二Ge層中注入P離子，形成所述第一N型Ge層，其中，注入時長為200s，注入計量為1.8×10¹⁴cm^-3～2.0×10¹⁴cm^-3，能量為30kev。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一N型Ge層上形成第一電極和第二電極的步驟，包括：

在所述第一N型Ge層的表面上，預設的第一指定區域內注入P離子，以在所述預設的第一指定區域內形成第二N型Ge層；

在所述第二N型Ge層的表面形成所述第一電極，以及在所述第一N型Ge層的表面形成所述第二電極。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述第一N型Ge層的表面上，預設的第一指定區域內的注入P離子，以在所述預設的第一指定區域內形成第二N型Ge層的步驟，包括：

在所述第一N型Ge層的表面上，形成第一光刻膠；

去除所述第一N型Ge層的表面上的預設的第一指定區域內的第一光刻膠；

利用離子注入方法，在去除第一光刻膠后的預設的第一指定區域內注入P離子，以在預設的第一指定區域內形成所述第二N型Ge層。

5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述第二N型Ge層的表面形成所述第一電極的步驟，包括：

在所述第二N型Ge層的表面，利用電子束蒸發淀積鋁金屬層，形成歐姆接觸；

保留所述預設的第一指定區域內的所述鋁Al金屬層，刻蝕剩余所述Al金屬層以形成所述第一電極。

6.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述第一N型Ge層的表面形成第二電極的步驟，包括：

在所述第一電極的表面，以及所述第一N型Ge層的表面上除所述第一電極以外的部分形成第二光刻膠；

去除所述第一N型Ge層的表面上的預設的第二指定區域內的第二光刻膠；

在剩余的第二光刻膠的表面和所述預設的第二指定區域上淀積鎢W金屬層，所述剩余的第二光刻膠包括：所述第一電極的表面，以及所述第一N型Ge層的表面上除所述第一電極和所述預設的第二指定區域以外的部分上形成的第二光刻膠；

去除所述剩余的第二光刻膠以及淀積在所述剩余的第二光刻膠上的W金屬層；

保留所述第一N型Ge層的表面上的所述預設的第二指定區域上的所述W金屬層作為所述第二電極。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述采用連續激光掃描所述第一Ge層，以及使連續激光掃描后的第一Ge層自然冷卻后再結晶的步驟之前，所述方法還包括：

使用化學氣相淀積CVD方法，在所述第一Ge層的表面淀積100nm～150nm的SiO₂保護層。