[發(fā)明專利]一種用于小型電子設備的無線充電接收裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811620027.5
• 申請日: 2018-12-28
• 公開（公告）號: CN109510326A
• 公開（公告）日: 2019-03-22
• 發(fā)明（設計）人: 李薇;李雯
• 申請（專利權）人: 西安科銳盛創(chuàng)新科技有限公司
• 主分類號: H02J50/10
• 分類號: H02J50/10;H02J7/02;H01L29/872;H01L29/161;H02M7/217
• 代理公司: 西安嘉思特知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 劉長春

1.一種用于小型電子設備的無線充電接收裝置，其特征在于，包括：

依次電連接的接收線圈模塊、整流模塊和穩(wěn)壓模塊；其中，

所述接收線圈模塊，用于感應無線充電發(fā)送裝置產(chǎn)生的磁場，并產(chǎn)生交流電信號；

所述整流模塊，用于將所述交流電信號轉換為直流電信號；

所述穩(wěn)壓模塊，用于將所述直流電信號的電壓穩(wěn)定在預設電壓，將具有所述預設電壓的直流電信號輸出給充電電池。

2.根據(jù)權利要求1所述的無線充電接收裝置，其特征在于，

所述接收線圈模塊包括連接在所述整流模塊的兩個輸入端之間的接收線圈，所述接收線圈以PCB布線的方式設置于所述無線充電接收裝置所在的電路板上。

3.根據(jù)權利要求1所述的無線充電接收裝置，其特征在于，

所述整流模塊包括二極管D1、二極管D2、二極管D3和二級管D4，其中，

所述二極管D1的正極分別與所述穩(wěn)壓模塊的第一輸入端以及所述二極管D2的正極連接，所述二極管D1的負極與所述二極管D3的正極連接；所述二極管D3的正極經(jīng)第五電容與所述接收線圈的第一端連接，所述二極管D3的負極與所述穩(wěn)壓模塊的第二輸入端連接；所述二級管D4的負極與所述二極管D3的負極連接，所述二級管D4的正極分別與所述二極管D2的負極以及所述接收線圈的第二端連接。

4.根據(jù)權利要求3所述的無線充電接收裝置，其特征在于，

所述二極管D1、所述二極管D2、所述二極管D3和所述二級管D4均為硅基改性Ge肖特基二極管。

5.根據(jù)權利要求4所述的無線充電接收裝置，其特征在于，

所述硅基改性Ge肖特基二極管包括：Si襯底(001)、晶化Ge_1-xSn_x層(007)、N型Ge_1-xSn_x層(009)、Al金屬層(010)、W金屬層(012)、第一電極和第二電極，其中，

所述晶化Ge_1-xSn_x層(007)設置在所述Si襯底(001)的表面；

所述N型Ge_1-xSn_x層(009)內(nèi)嵌在所述晶化Ge_1-xSn_x層(007)中；

所述Al金屬層(010)設置在所述N型Ge_1-xSn_x層(009)的表面，與所述第一電極連接；

所述W金屬層(012)設置在所述晶化Ge_1-xSn_x層(007)表面的預設肖特基接觸區(qū)域內(nèi)，與所述第二電極連接；

其中，所述第二電極為所述硅基改性Ge肖特基二極管的正極，所述第一電極為所述硅基改性Ge肖特基二極管的負極。

6.根據(jù)權利要求5所述的無線充電接收裝置，其特征在于，

所述N型Ge_1-xSn_x層(009)是對所述晶化Ge_1-xSn_x層(007)局部進行P離子注入后形成的，其中，所述N型Ge_1-xSn_x層(009)的摻雜濃度為10²⁰cm^-3。

7.根據(jù)權利要求5所述的無線充電接收裝置，其特征在于，

所述晶化Ge_1-xSn_x層(007)是利用激光將依次形成于所述Si襯底(001)表面的第一Ge層、第二Ge層和N型Sn層融化結晶后形成的，其中，x>0.08。

8.根據(jù)權利要求7所述的無線充電接收裝置，其特征在于，

所述激光為：波長為808nm、光斑尺寸為10mm×1mm、功率為1.5kW/cm²及移動速度為25mm/s的激光。