[發明專利]一種絕緣體上硅材料及其抗總劑量輻射的加固方法有效
| 申請號： | 201811618362.1 | 申請日： | 2018-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN109860097B | 公開（公告）日： | 2021-05-04 |
| 發明（設計）人： | 鄭中山;朱慧平;孔延梅;李多力;李博;羅家俊;韓鄭生;焦斌斌 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京華沛德權律師事務所 11302 | 代理人： | 房德權 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 絕緣體 材料 及其 劑量 輻射 加固 方法 | ||
1.一種絕緣體上硅材料抗總劑量輻射的加固方法，其特征在于，包括：
在第一半導體襯底上制備第一介質埋層，在第二半導體襯底上制備第二介質埋層；
在第一介質埋層上制備高k介質層，所述高k介質層的材料是指相對介電常數大于7.8的絕緣介質材料，所述高k介質層包括多層不同材料類型的高k介質層，且不同類型高k介質材料間的凈被陷電荷的性質是相反的；
疊加連接所述高k介質層和所述第二介質埋層，形成絕緣體上硅材料。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：
測試獲得所述第一介質埋層和所述第二介質埋層的材料的厚度與其內部被陷電荷密度及輻射劑量的第一關系；
測試獲得所述高k介質層的材料的厚度與其內部被陷電荷密度及輻射劑量的第二關系；
根據所述第一關系和所述第二關系確定所述第一介質埋層、所述第二介質埋層和所述高k介質層的厚度，并確定所述高k介質層的材料類型。
3.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一介質埋層、所述第二介質埋層和所述高k介質層在預設工作條件下的理論總被陷電荷密度值趨于0。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述高k介質層包括具有電子陷阱的初始負電荷的高k材料。
5.如權利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述高k介質層包括多層不同厚度的高k介質層。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述疊加連接所述高k介質層和所述第二介質埋層，包括：
鍵合連接所述高k介質層和所述第二介質埋層。
7.一種絕緣體上硅材料，其特征在于，包括：
依次疊置的第一半導體層、第一介質埋層、第二介質埋層和第二半導體層；
其中，所述第一介質埋層和所述第二介質埋層之間嵌設有高k介質層，所述高k介質層的材料是指相對介電常數大于7.8的絕緣介質材料，所述高k介質層包括多層不同材料類型的高k介質層，且不同類型高k介質材料間的凈被陷電荷的性質是相反的。
8.如權利要求7所述的絕緣體上硅材料，其特征在于，所述第一介質埋層、所述第二介質埋層和所述高k介質層在預設工作條件下的理論總被陷電荷密度值趨于0。
9.如權利要求7所述的絕緣體上硅材料，其特征在于，所述高k介質層包括具有電子陷阱的初始負電荷的高k材料。
10.如權利要求7所述的絕緣體上硅材料，其特征在于，所述高k介質層包括多層不同厚度的高k介質層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
