[發(fā)明專利]抑制充電效應(yīng)的THGEM基材及其制備和檢測(cè)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811616624.0
• 申請(qǐng)日: 2018-12-27
• 公開（公告）號(hào): CN109487210B
• 公開（公告）日: 2020-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周意;宋國(guó)鋒;呂游;尚倫霖;張廣安;魯志斌;劉建北;張志永;邵明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
• 主分類號(hào): C23C14/06
• 分類號(hào): C23C14/06;C23C14/02;C23C14/35;C23C14/54;G01N27/12
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 李坤

1.一種抑制充電效應(yīng)的THGEM基材，包括：

PCB基材層；

銅電極層，位于所述PCB基材層的上下表面；

通孔，在該基材上呈六角密排分布，且對(duì)多個(gè)所述通孔的上下邊緣的銅電極層進(jìn)行腐蝕，裸露出所述PCB基材層；以及

DLC薄膜，其形成于所述PCB基材層裸露部分的表面；

所述PCB基材層上下表面的所述銅電極層間的電阻值介于20GΩ至900GΩ之間

所述DLC薄膜的厚度介于0.5μm至1μm之間。

2.一種抑制充電效應(yīng)的THGEM基材的制備方法，使用磁控濺射沉積設(shè)備，包括：

步驟A：固定基底樣品；

步驟B：對(duì)磁控濺射設(shè)備的真空腔室抽真空；

步驟C：在所述基底樣品的正反兩面沉積制備DLC薄膜；

所述基底樣品包括：

PCB基材層；

銅電極層，位于所述PCB基材層的上下表面；以及

通孔，在該基材上呈六角密排分布，且對(duì)多個(gè)所述通孔的上下邊緣的銅電極層進(jìn)行腐蝕，裸露出所述PCB基材層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的抑制充電效應(yīng)的THGEM基材的制備方法，在固定基底樣品前，還包括：

步驟1：對(duì)所述基底樣品進(jìn)行預(yù)處理使其清潔干燥；

步驟2：對(duì)磁控濺射設(shè)備的高純石墨靶材表面濺射清洗。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的抑制充電效應(yīng)的THGEM基材的制備方法，所述步驟A包括：

步驟A1：將所述基底樣品使用鱷魚夾固定在支架上；

步驟A2：將整個(gè)支架裝到所述真空腔室內(nèi)部的旋轉(zhuǎn)軸上；

步驟A3：調(diào)整所述基底樣品的位置，使其高度位于高純石墨靶材的中部，所述高純石墨靶材與所述基底樣品的間距介于12cm至18cm之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的抑制充電效應(yīng)的THGEM基材的制備方法，所述步驟C中，在沉積過程中向真空腔室內(nèi)摻入異丁烷氣體，通過調(diào)整沉積時(shí)間和異丁烷氣體流量來實(shí)現(xiàn)控制DLC薄膜的厚度和面電阻值率。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的抑制充電效應(yīng)的THGEM基材的制備方法，所述步驟B中，在沉積過程中，保持真空腔室內(nèi)的氣壓不高于7.4×10^-4Torr。

7.一種抑制充電效應(yīng)的THGEM基材的檢測(cè)方法，用于檢測(cè)通過如上述權(quán)利要求2至6中任一項(xiàng)所述的抑制充電效應(yīng)的THGEM基材的制備方法制備的如上述權(quán)利要求1所述的抑制充電效應(yīng)的THGEM基材，包括：使用MeggerMIT485高阻表測(cè)量所述抑制充電效應(yīng)的THGEM基材上下表面的所述銅電極層在施加1000V電壓時(shí)的電阻值。