[發(fā)明專利]一種建筑工程用環(huán)保電線有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811616492.1 | 申請日: | 2018-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN109694513B | 公開(公告)日: | 2021-06-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王春生;王亞會;孫冰;孫濤;董亭深;王茂華 | 申請(專利權(quán))人: | 山東中電通電纜科技有限公司 |
| 主分類號: | C08L23/06 | 分類號: | C08L23/06;C08L23/08;C08K3/38;C08K3/00;C08K3/30;C08K3/14;H01B7/28;H01B7/29 |
| 代理公司: | 濟(jì)南光啟專利代理事務(wù)所(普通合伙) 37292 | 代理人: | 李曉平 |
| 地址: | 251100 山東省德州*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 建筑工程 環(huán)保 電線 | ||
本發(fā)明公開了一種建筑工程用環(huán)保電線。包括至少一根導(dǎo)體和至少一層耐火包裹層,所述耐火包裹層包含具有下述組分的組合物:低熔點(diǎn)瓷化粉,有機(jī)聚合物,無機(jī)晶體。本發(fā)明制備的環(huán)保電線的耐火包裹層在有焰或無焰條件下可以結(jié)成陶瓷狀的殼體,防火耐火性能優(yōu)異;抗老化、耐高溫、電性能強(qiáng);燃燒后的煙氣低煙無鹵、無磷氮、無重金屬、無毒無害,對人不會造成二次傷害;在低煙無鹵螺桿擠塑機(jī)上進(jìn)行擠出,擠出壓力低于無鹵低煙電纜料,表面平整、光滑。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于電線電纜技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種建筑工程用環(huán)保電線。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)的耐火電纜電線采用繞包云母帶制成耐火層,云母帶的厚度受到限制,繞包速度慢,生產(chǎn)效率較低,加工、人力成本高;耐火層吸潮性強(qiáng),儲存時(shí)間3-6個(gè)月,受潮后絕緣性能下降迅速,繞包后需烘干處理;容易脫落,繞包時(shí)生產(chǎn)現(xiàn)場的云母粉飛揚(yáng),容易被人體吸入,對健康有影響;繞包小截面的耐火電線后,擠出護(hù)套表面不平整;火燒后,不能做噴淋、震動,易脫落。
以聚合物為基礎(chǔ),并在其中加入陶瓷材料,經(jīng)過特定的工序加工之后,具備良好的機(jī)械性能、電氣性能。在惡劣的外界環(huán)境作用下,能夠改變自身結(jié)構(gòu),使材料快速硬化,并呈現(xiàn)出陶瓷特征,具有很強(qiáng)的物理強(qiáng)度與化學(xué)性能。市場上流行的材料主要分為兩種,一種為硅橡膠,另一種為聚烯烴。硅橡膠材料又可以細(xì)化為擠出型、繞包型復(fù)合材料兩種,均在低壓電纜中得到廣泛應(yīng)用。對陶瓷化高分子材料性能進(jìn)行分析,其基本性能與普通材料相同,但在耐火性上具有很強(qiáng)的優(yōu)勢。當(dāng)此材料處于高溫環(huán)境中時(shí),其可以迅速轉(zhuǎn)化為陶瓷狀,并具有很強(qiáng)的隔火性與隔熱性。
但是,陶瓷化硅橡膠產(chǎn)品需配備橡膠擠出機(jī),陶瓷化硅橡膠帶需采用繞包工藝且繞包工藝較難控制;因膠料及其帶材易吸潮,原材料和半成品放置需注意防潮。陶瓷化聚烯烴產(chǎn)品種類繁多,適合用于電線電纜耐火材料的品種少,機(jī)械性能比陶瓷化硅橡膠產(chǎn)品低。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種建筑工程用環(huán)保電線。
一種建筑工程用環(huán)保電線,包括至少一根導(dǎo)體和至少一層耐火包裹層,所述耐火包裹層包含具有下述組分的組合物:
(a)低熔點(diǎn)瓷化粉;
(b)有機(jī)聚合物;
(c)無機(jī)晶體。
所述低熔點(diǎn)瓷化粉的熔點(diǎn)在1200℃以下。
所述有機(jī)聚合物為聚乙烯,聚丙烯,丙烯-辛烯共聚物,乙烯與至少一種α-烯烴的共聚物,乙烯與甲基丙烯酸烷基酯的共聚物。
所述有機(jī)聚合物的密度在0.82-0.96g/cm3之間,優(yōu)選0.85-0.90g/cm3。
所述無機(jī)晶體包括天然礦石晶體或人工晶體。
所述天然礦石晶體選自低溫方硼石,硼鈣石,硼鎳鐵礦,阿硼鎂石,硼鎂鐵鈦礦中的一種或一種以上。
所述人工晶體選自Ga2S2Te晶體,Mo12Fe22C10晶體或Mg2.76BN3晶體。
優(yōu)選的,所述低熔點(diǎn)瓷化粉由高熔點(diǎn)瓷化粉替代,外加助熔劑。
所述助熔劑為B2O3,CaF2,V2O5,AlF3,硅酸鈉中的一種或一種以上。
所述高熔點(diǎn)瓷化粉的熔點(diǎn)在1200℃以上。
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