[發明專利]一種X波段移相器在審
| 申請號： | 201811616039.0 | 申請日： | 2018-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN109617536A | 公開（公告）日： | 2019-04-12 |
| 發明（設計）人： | 馬順利;任俊彥;聶麗荷;李寧;葉凡 | 申請（專利權）人： | 復旦大學 |
| 主分類號： | H03H11/16 | 分類號： | H03H11/16 |
| 代理公司： | 上海正旦專利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陸飛;陸尤 |
| 地址： | 200433 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶體管 移相器 源漏 電感 晶體管導通 低通濾波 控制信號 信號通過 電容 關斷 集成電路技術 插入損耗 帶通濾波 電容并聯 接地 輸出端 輸入端 體積小 元器件 導通 低通 高通 相移 電路 截止 傳輸 | ||
1.一種X波段移相器，用于將輸入信號移相，其特征在于，所述移相器包括：
第一晶體管，其源端與漏端一端接輸入信號，另一端作為輸出端輸出經過相位變化的信號；
π型低通濾波通路，用于將輸入信號實現相位變化；
帶有并聯電感及并聯電容的第二晶體管和兩個電阻；
其中，所述π型低通濾波通路，由一個電感和兩個電容組成，為π型結構；所述電容的容值相等；通過調節所述電感的感值及所述電容的容值，使得輸出信號實現特定的相移；
所述第一晶體管與所述π型低通濾波通路中的電感及電容并聯。
2.根據權利要求1所述的X波段移相器，其特征在于，所述電阻為高阻，分別與所述第一晶體管及所述第二晶體管柵極串聯，防止信號從所述第一晶體管及所述第二晶體管源級及漏級泄露。
3.根據權利要求2所述的X波段移相器，其特征在于，所述第二晶體管的源漏與所述并聯電感及所述并聯電容并聯，源漏一端接地；當所述第二晶體管接可使其關斷的低壓時，所述第二晶體管與所述并聯電容、所述并聯電感諧振，使得并聯阻抗為無窮大，電路為帶通濾波通路，所述第一晶體管的輸出端輸出相位未變化的信號。
4.根據權利要求3所述的X波段移相器，其特征在于，所述并聯電感及所述并聯電容的電抗值可調，使得所述帶通濾波通路在所需頻率上諧振。
5.根據權利要求4所述的X波段移相器，其特征在于，所述第一晶體管與所述第二晶體管分別接高壓或低壓，控制所述移相器是否實現相移。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于復旦大學，未經復旦大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811616039.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
