[發(fā)明專利]石英光刻化晶圓及切割技術(shù)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811614266.X
• 申請日: 2018-12-27
• 公開（公告）號: CN110027123B
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李宗杰
• 申請（專利權(quán)）人: 李宗杰
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78
• 代理公司: 深圳市特訊知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44653
• 代理人: 何明生

1.石英光刻化晶圓，包括石英晶圓(7)本體、鏤空區(qū)(6)、切割對準(zhǔn)線(1)、晶片主震區(qū)(2)、晶片主震區(qū)電極膜(3)、晶片腳位區(qū)電極膜(4)和晶片側(cè)邊導(dǎo)通電極膜(5)，其特征在于：所述鏤空區(qū)(6)位于兩個石英晶圓(7)相對面的中部，所述切割對準(zhǔn)線(1)位于石英晶圓(7)本體的四邊，所述晶片主震區(qū)(2)位于石英晶圓(7)本體的表面，所述晶片主震區(qū)電極膜(3)位于石英晶圓(7)本體的上方，所述晶片腳位區(qū)電極膜(4)位于晶片主震區(qū)電極膜(3)的下方，所述晶片側(cè)邊導(dǎo)通電極膜(5)位于石英晶圓(7)鏤空區(qū)(6)的側(cè)面，所述晶片腳位區(qū)電極膜(4)與晶片主震區(qū)電極膜(3)、晶片側(cè)邊導(dǎo)通電極膜(5)相連接。

2.石英光刻化晶圓切割技術(shù)，其特征在于：所述石英光刻化晶圓切割包括以下幾個步驟：

S1、鍍膜，首先將晶圓鍍上金屬薄膜；

S2、曝光顯影，接上光阻通過控制遮光物的位置可以得到鏤空區(qū)(6)的外形；

S3、去除金屬，將鏤空區(qū)(6)的金屬去除，晶圓表面金屬鍍層在芯片和街區(qū)上的部分按照電路圖形被除去；

S4、穿孔，對鏤空區(qū)(6)結(jié)構(gòu)進(jìn)行貫穿打孔，并移除光阻；

S5、去除晶片主震區(qū)(2)結(jié)構(gòu)的金屬，再次上光阻后進(jìn)行曝光顯影，將晶片主震區(qū)(2)的金屬去除；

S6、進(jìn)行晶片主震區(qū)(2)結(jié)構(gòu)的蝕刻；

S7、移除光阻與金屬；

S8、重新鍍上金屬膜；

S9、上光阻后再次進(jìn)行曝光顯影；

S10、將晶圓上無光阻遮蔽的金屬進(jìn)行移除，即完成石英芯片的電極；

S11、將已光刻化的石英晶圓(7)進(jìn)行切割。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的石英光刻化晶圓切割技術(shù)，其特征在于：所述S3去除金屬和S5去除晶片主震區(qū)(2)結(jié)構(gòu)的金屬的步驟中，主要是透過石英元件能量閉鎖原理，將晶片主震區(qū)(2)能量利用光刻技術(shù)做成特殊結(jié)構(gòu)封鎖在主面結(jié)構(gòu)中。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的石英光刻化晶圓切割技術(shù)，其特征在于：所述鏤空區(qū)(6)設(shè)置在遠(yuǎn)離晶片主震區(qū)(2)的一側(cè)。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的石英光刻化晶圓切割技術(shù)，其特征在于：所述鏤空區(qū)(6)的蝕刻精度低于所述晶片主震區(qū)(2)的蝕刻精度。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的石英光刻化晶圓切割技術(shù)，其特征在于：所述S8重新鍍上金屬膜、S9上光阻后再次進(jìn)行曝光顯影及S10將晶圓上無光阻遮蔽的金屬進(jìn)行移除的步驟中，再鍍膜以光刻技術(shù)做出電極面與側(cè)邊導(dǎo)通電極，然后進(jìn)行切割。