[發(fā)明專利]進氣管路連接裝置及含其的用于等離子體刻蝕的進氣單元有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811613040.8 | 申請日: | 2018-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN111383890B | 公開(公告)日: | 2023-06-30 |
| 發(fā)明(設計)人: | 連增迪;黃允文;吳狄 | 申請(專利權)人: | 中微半導體設備(上海)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01J37/32 | 分類號: | H01J37/32 |
| 代理公司: | 上海元好知識產(chǎn)權代理有限公司 31323 | 代理人: | 劉琰;賈慧琴 |
| 地址: | 201201 上海市浦東新*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 管路 連接 裝置 用于 等離子體 刻蝕 單元 | ||
1.一種進氣管路連接裝置,用于連接刻蝕氣體管線和刻蝕反應腔體上的氣體管路接頭,其特征在于,所述進氣管路連接裝置包括管狀本體及設置在所述管狀本體內(nèi)的耐腐蝕密封件;所述刻蝕氣體管線與所述氣體管路接頭分別從所述管狀本體的兩端伸入并進行對接,且對接處由所述耐腐蝕密封件進行環(huán)繞并密封;所述管狀本體的兩端分別與所述刻蝕氣體管線與所述氣體管路接頭通過焊接固定;所述管狀本體內(nèi)設置有用于嵌入耐腐蝕密封件的第一環(huán)形凹槽。
2.如權利要求1所述的進氣管路連接裝置,其特征在于,所述刻蝕氣體管線與所述氣體管路接頭對接處的外壁拼合成用于嵌入耐腐蝕密封件的第二環(huán)形凹槽。
3.如權利要求1所述的進氣管路連接裝置,其特征在于,所述刻蝕氣體管線和所述氣體管路接頭在遠離對接處的外壁上分別設置有第一環(huán)形向外延伸部和第二環(huán)形向外延伸部;所述第一環(huán)形向外延伸部和第二環(huán)形向外延伸部之間拼合成用于嵌入管狀本體的第三環(huán)形凹槽。
4.如權利要求3所述的進氣管路連接裝置,其特征在于,所述管狀本體的外周分別與所述第一環(huán)形向外延伸部和第二環(huán)形向外延伸部的外周對齊;焊接所形成的焊縫位于管狀本體分別與第一環(huán)形向外延伸部和第二環(huán)形向外延伸部結合處的外周位置,以使焊縫遠離刻蝕氣體管線及氣體管路接頭的本體。
5.如權利要求4所述的進氣管路連接裝置,其特征在于,所述管狀本體的兩側分別設置有第三環(huán)形向外延伸部和第四環(huán)形向外延伸部;所述第三環(huán)形向外延伸部和第四環(huán)形向外延伸部分別與所述第一環(huán)形向外延伸部和第二環(huán)形向外延伸部的外周對齊。
6.如權利要求1所述的進氣管路連接裝置,其特征在于,所述管狀本體的材質(zhì)為不銹鋼。
7.如權利要求1所述的進氣管路連接裝置,其特征在于,所述耐腐蝕密封件的材質(zhì)為特氟龍或聚酰亞胺。
8.如權利要求1所述的進氣管路連接裝置,其特征在于,所述氣體管路接頭為VCR接頭。
9.一種用于等離子體刻蝕的進氣單元,其特征在于,該進氣單元包括:用于提供刻蝕氣體的刻蝕氣體源;與所述刻蝕氣體源相連的刻蝕氣體管線;設置在刻蝕反應腔體上的氣體管路接頭以及如權利要求1-8任意一項所述的進氣管路連接裝置,用于連接刻蝕氣體管線和氣體管路接頭。
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