[發(fā)明專利]一種抗噪聲的高壓柵驅(qū)動電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811612718.0 | 申請日： | 2018-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN109687861B | 公開（公告）日： | 2021-05-14 |
| 發(fā)明（設計）人： | 方健;王定良;雷一博;張波;王卓 | 申請（專利權(quán)）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H03K19/0175 | 分類號： | H03K19/0175;H03K19/003 |
| 代理公司： | 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛啟函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 噪聲 高壓 驅(qū)動 電路 | ||
1.一種抗噪聲的高壓柵驅(qū)動電路，其特征在于，包括高壓電平位移模塊、第一共模噪聲消除模塊、第二共模噪聲消除模塊、RS鎖存器和驅(qū)動模塊，
所述高壓電平位移模塊包括第一齊納二極管、第二齊納二極管、第三齊納二極管、第四齊納二極管、第五齊納二極管、第六齊納二極管、第七齊納二極管、第八齊納二極管、第九齊納二極管、第一LDMOS管、第二LDMOS管、第三LDMOS管、第三電阻、第四電阻、第五電阻、第六電阻、第七電阻和第八電阻，
第一LDMOS管的柵端作為所述高壓電平位移模塊的第一輸入端，其漏端作為所述高壓電平位移模塊的第一輸出端并通過第三電阻后連接浮動電源，其源端通過第六電阻后接地；
第三LDMOS管的柵端作為所述高壓電平位移模塊的第二輸入端，其漏端作為所述高壓電平位移模塊的第二輸出端并通過第五電阻后連接浮動電源，其源端通過第八電阻后接地；
第二LDMOS管的柵端接地，其漏端作為所述高壓電平位移模塊的第三輸出端并通過第四電阻后連接浮動電源，其源端通過第七電阻后接地；
第一齊納二極管的陰極連接浮動電源，其陽極連接第二齊納二極管的陰極；第三齊納二極管的陰極連接第二齊納二極管的陽極，其陽極連接第一LDMOS管的漏端；
第四齊納二極管的陰極連接浮動電源，其陽極連接第五齊納二極管的陰極；第六齊納二極管的陰極連接第五齊納二極管的陽極，其陽極連接第二LDMOS管的漏端；
第七齊納二極管的陰極連接浮動電源，其陽極連接第八齊納二極管的陰極；第九齊納二極管的陰極連接第八齊納二極管的陽極，其陽極連接第三LDMOS管的漏端；
所述第一共模噪聲消除模塊的第一輸入端連接所述高壓電平位移模塊的第一輸出端，其第二輸入端連接所述高壓電平位移模塊的第三輸出端，其輸出端連接所述RS鎖存器的R輸入端；
所述第二共模噪聲消除模塊的第一輸入端連接所述高壓電平位移模塊的第二輸出端，其第二輸入端連接所述高壓電平位移模塊的第三輸出端，其輸出端連接所述RS鎖存器的S輸入端；
所述驅(qū)動模塊的輸入端連接所述RS鎖存器的輸出端，其輸出端作為所述高壓柵驅(qū)動電路的輸出端；
所述第一共模噪聲消除模塊和第二共模噪聲消除模塊結(jié)構(gòu)相同，所述第一共模噪聲消除模塊包括第一電阻、第二電阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管，
第一NMOS管的柵端連接第一PMOS管的柵端并作為所述第一共模噪聲消除模塊的第一輸入端，其漏端連接第一PMOS管的漏端和第二NMOS管的柵端，其源端連接第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管的源端并連接高端浮動地；
第二PMOS管的柵端連接第五NMOS管的柵端并作為所述第一共模噪聲消除模塊的第二輸入端，其漏端連接第五NMOS管的漏端和第四NMOS管的柵端，其源端連接第一PMOS管和第三PMOS管的源端并連接浮動電源；
第一電阻一端連接浮動電源，另一端連接第二NMOS管的漏端；第二電阻一端連接浮動電源，另一端連接第四NMOS管的漏端、第三NMOS管和第三PMOS管的柵端；
第三NMOS管的漏端連接第三PMOS管的漏端并作為所述第一共模噪聲消除模塊的輸出端。
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