[發明專利]防刻蝕氣體供應管道腐蝕的系統及等離子反應器運行方法

有效

• 申請號: 201811611363.3
• 申請日: 2018-12-27
• 公開（公告）號: CN111383886B
• 公開（公告）日: 2023-03-10
• 發明（設計）人: 連增迪;吳狄;倪圖強;黃允文;左濤濤
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）股份有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 上海元好知識產權代理有限公司 31323
• 代理人: 劉琰;賈慧琴

1.一種等離子反應器運行方法，其特征在于，所述等離子反應器包括：

一個刻蝕反應腔體，刻蝕反應腔體內包括用于支撐待處理基片的基座，刻蝕反應腔體頂部包括頂蓋，所述頂蓋上設置有進氣裝置；

一氣體供應裝置用于向所述進氣裝置供應反應氣體，所述氣體供應裝置包括：刻蝕氣體供應管道，用于連通到刻蝕氣體源，一惰性氣體供應管道，用于連通到惰性氣體源，所述惰性氣體供應管道上還包括一可控閥門，所述惰性氣體供應管道通過所述刻蝕氣體供應管道與所述進氣裝置連通；

所述運行方法包括以下步驟：當打開刻蝕反應腔體的頂蓋時，打開所述可控閥門，向與所述刻蝕反應腔體相連通的氣體供應裝置內通入惰性氣體，以防止空氣中的水汽進入刻蝕氣體供應管道；在關閉所述刻蝕反應腔體的頂蓋進行等離子刻蝕時，關閉所述可控閥門，使得刻蝕氣體通入所述氣體供應裝置。

2.如權利要求1所述的等離子反應器運行方法，其特征在于，所述惰性氣體在通入前先進行預熱，和/或在通入惰性氣體的同時對所述刻蝕氣體供應管道進行加熱，以將吸附在刻蝕氣體供應管道內壁中的水汽解吸附出來。

3.如權利要求1所述的等離子反應器運行方法，其特征在于，所述惰性氣體為氮氣。

4.一種采用如權利要求1所述的方法實現的防刻蝕氣體供應管道腐蝕的系統，其特征在于，包括惰性氣體源和與其連通的惰性氣體供應管道；所述惰性氣體供應管道與刻蝕氣體供應管道連通，用以通入惰性氣體。

5.如權利要求4所述的防刻蝕氣體供應管道腐蝕的系統，其特征在于，所述惰性氣體供應管道具有限流閥，用于限制惰性氣體流量。

6.如權利要求4所述的防刻蝕氣體供應管道腐蝕的系統，其特征在于，該系統還包括用于對所述刻蝕氣體供應管道進行加熱的第一加熱裝置，和/或設置在惰性氣體供應管道上，用于對所述惰性氣體進行加熱的第二加熱裝置。

7.如權利要求6所述的防刻蝕氣體供應管道腐蝕的系統，其特征在于，所述第一加熱裝置為加熱帶。

8.如權利要求7所述的防刻蝕氣體供應管道腐蝕的系統，其特征在于，所述加熱帶的外側包裹有保溫層。

9.如權利要求6所述的防刻蝕氣體供應管道腐蝕的系統，其特征在于，所述第二加熱裝置為加熱器。

10.如權利要求9所述的防刻蝕氣體供應管道腐蝕的系統，其特征在于，所述加熱器為電加熱器或換熱器。