[發(fā)明專利]超導(dǎo)量子干涉器件及制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811611264.5 | 申請日: | 2018-12-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109597004A | 公開(公告)日: | 2019-04-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王會(huì)武;唐鑫;張棲瑜;公凱軒;王鎮(zhèn) | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 |
| 主分類號(hào): | G01R33/035 | 分類號(hào): | G01R33/035;G01R33/00 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 200050 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 超導(dǎo)材料層 串聯(lián)電阻 刻蝕 沉積 制備 超導(dǎo)量子干涉器件 絕緣材料層 約瑟夫森結(jié) 制備工藝 串聯(lián) 底電極結(jié)構(gòu) 超導(dǎo)環(huán)路 電極開口 電壓偏置 電阻串聯(lián) 刻蝕電阻 旁路電阻 偏置電壓 材料層 頂電極 靈敏度 噪聲 | ||
本發(fā)明提供一種超導(dǎo)量子干涉器件及制備方法,包括:欠阻尼SQUID及串聯(lián)電阻,欠阻尼SQUID與串聯(lián)電阻串聯(lián),欠阻尼SQUID及串聯(lián)電阻串聯(lián)后的兩端連接偏置電壓。依次沉積第一超導(dǎo)材料層、第一絕緣材料層及第二超導(dǎo)材料層,并刻蝕形成超導(dǎo)環(huán)路及底電極結(jié)構(gòu);刻蝕第二超導(dǎo)材料層以形成約瑟夫森結(jié);沉積并刻蝕第二絕緣材料層,于約瑟夫森結(jié)頂部形成電極開口;沉積并刻蝕電阻材料層形成旁路電阻及串聯(lián)電阻;沉積并刻蝕第三超導(dǎo)材料層頂電極。本發(fā)明將欠阻尼SQUID與電阻串聯(lián)在一起構(gòu)成Series Resistance SQUID器件,在電壓偏置模式下工作,具有噪聲更低、靈敏度更高的特點(diǎn);而且其制備工藝與普通SQUID制備工藝相同,不增加制備難度。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及超導(dǎo)電路設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種超導(dǎo)量子干涉器件及制備方法。
背景技術(shù)
超導(dǎo)量子干涉器件(Superconducting Quantum Interference Device,以下簡稱SQUID)是以磁通量子化和約瑟夫森效應(yīng)為理論基礎(chǔ),由超導(dǎo)約瑟夫森結(jié)和超導(dǎo)環(huán)組成的超導(dǎo)電子器件,它能將磁場的微小變化轉(zhuǎn)換為可測量的電壓,相當(dāng)于一個(gè)磁通-電壓轉(zhuǎn)換器,是目前為止測量磁場靈敏度最高的傳感器。低溫超導(dǎo)SQUID器件通常工作在液氦溫度(4.2K)下,它的磁通靈敏度通常在10-6Φ0/Hz1/2量級(jí)(Φ0=2.07×10-15Wb),對(duì)磁場的靈敏度在fT/Hz1/2量級(jí)(1fT=1×10-15T)。由于低溫SQUID器件具有極高的磁場靈敏度,因此在極微弱磁信號(hào)探測領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值。
在SQUID應(yīng)用中,其通常工作于電流偏置模式,即向SQUID器件中通入一個(gè)大于SQUID器件臨界電流的直流電流,此時(shí)SQUID器件輸出一個(gè)電壓信號(hào),這個(gè)電壓信號(hào)是一個(gè)與器件感應(yīng)磁通相關(guān)的周期函數(shù),周期是一個(gè)磁通量子,然后通過SQUID讀出電路將此周期函數(shù)轉(zhuǎn)化為磁通與電壓一一對(duì)應(yīng)的線性函數(shù),完成SQUID器件磁通或磁場的探測。在進(jìn)行SQUID器件設(shè)計(jì)時(shí),SQUID器件的回滯參數(shù)βC對(duì)于SQUID器件參數(shù)設(shè)計(jì)有限制。在一定工作溫度下,當(dāng)回滯參數(shù)βC小于1時(shí),SQUID器件的I-V特性沒有回滯,當(dāng)回滯參數(shù)βC大于1時(shí),I-V特性具有回滯,回滯對(duì)于SQUID器件測量準(zhǔn)確性有一定影響。但是回滯參數(shù)βC的數(shù)值越小,將減小SQUID器件的磁通-電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)和器件調(diào)制深度等性能參數(shù),不利于SQUID應(yīng)用。因此,電流偏置模式下,通常將回滯參數(shù)βC的數(shù)值設(shè)置為1左右,經(jīng)過研究,當(dāng)SQUID器件的屏蔽參數(shù)βL為1時(shí),SQUID器件的性能得以優(yōu)化,可參看由John Clarke and A.I.Braginski編寫的The SQUID Handbook中的說明。
SQUID也能夠工作于電壓模式,當(dāng)處于電壓模式時(shí),在器件兩端加一個(gè)直流電壓,器件中的電流是其感應(yīng)磁通的周期函數(shù),可以通過讀出電路將此電流信號(hào)轉(zhuǎn)化為與磁通一一對(duì)應(yīng)的電壓信號(hào),例如NC結(jié)構(gòu)SQUID,NC結(jié)構(gòu)SQUID是由兩個(gè)并聯(lián)支路構(gòu)成,一個(gè)支路是SQUID,另一個(gè)支路是由一個(gè)電感和一個(gè)電阻串聯(lián)構(gòu)成。NC結(jié)構(gòu)SQUID工作于負(fù)電阻態(tài)時(shí)SQUID的I-V曲線表現(xiàn)為振蕩,NC結(jié)構(gòu)SQUID設(shè)置于正常態(tài)時(shí),其噪聲與電流偏置模式下的SQUID器件的噪聲處于相當(dāng)水平。
SQUID應(yīng)用的主要優(yōu)勢在于如何利用其噪聲低的特點(diǎn),因此,如何進(jìn)一步減小超導(dǎo)量子干涉器件的噪聲,是本領(lǐng)域技術(shù)人員關(guān)注的的重點(diǎn)問題之一。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的現(xiàn)狀,本發(fā)明的目的在于提供一種超導(dǎo)量子干涉器件及制備方法,用于進(jìn)一步提升SQUID器件噪聲和靈敏度等性能問題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,本發(fā)明提供一種超導(dǎo)量子干涉器件,所述超導(dǎo)量子干涉器件至少包括:
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所,未經(jīng)中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811611264.5/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





