[發(fā)明專利]蝕刻方法和蝕刻裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811610534.0
• 申請日: 2018-12-27
• 公開（公告）號: CN109979815B
• 公開（公告）日: 2023-08-15
• 發(fā)明（設計）人: 淺田泰生;折居武彥;入江伸次;高橋信博;萩原彩乃;山口達也
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/67
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種蝕刻方法，其特征在于，

該蝕刻方法包括如下工序：

成膜工序，在該成膜工序中，向沿著橫向按照含硅膜、多孔質(zhì)膜、非蝕刻對象膜的順序相鄰地設置有含硅膜、多孔質(zhì)膜、非蝕刻對象膜的基板供給成膜氣體，在所述多孔質(zhì)膜的孔部成膜穿過防止膜，該穿過防止膜用于防止用于對所述含硅膜進行蝕刻的蝕刻氣體穿過該孔部而向所述非蝕刻對象膜供給；以及

蝕刻工序，在該蝕刻工序中，供給所述蝕刻氣體而對所述含硅膜進行蝕刻。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于，

該蝕刻方法包括使所述成膜工序和所述蝕刻工序按照所述成膜工序和所述蝕刻工序的順序多次反復的反復工序。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的蝕刻方法，其特征在于，

所述成膜氣體包括第1成膜氣體和第2成膜氣體，

所述成膜工序包括如下工序：將所述第1成膜氣體和所述第2成膜氣體依次向所述基板供給，使所述第1成膜氣體和所述第2成膜氣體相互反應，成膜所述穿過防止膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的蝕刻方法，其特征在于，

該蝕刻方法包括在供給所述第1成膜氣體的期間與供給所述第2成膜氣體的期間之間、在供給所述第2成膜氣體的期間與供給所述蝕刻氣體的期間之間、在供給所述蝕刻氣體的期間與供給第1成膜氣體的期間之間分別對基板的周圍進行排氣的工序。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于，

所述蝕刻氣體向所述基板的供給和所述成膜氣體向所述基板的供給同時進行。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于，

該蝕刻方法包括在進行了所述成膜工序和所述蝕刻工序之后對所述基板進行加熱的加熱工序，以便使所述穿過防止膜從所述孔部氣化而去除。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于，

在所述非蝕刻對象膜的上側(cè)形成蝕刻掩模膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于，

所述穿過防止膜是具有脲鍵的聚合物。

9.一種蝕刻裝置，其特征在于，

該蝕刻裝置包括：

處理容器；

載置部，其設置于所述處理容器內(nèi)，該載置部用于載置沿著橫向按照含硅膜、多孔質(zhì)膜、非蝕刻對象膜的順序相鄰地設置有含硅膜、多孔質(zhì)膜、非蝕刻對象膜的基板；

成膜氣體供給部，其向所述處理容器內(nèi)供給成膜氣體，以便在所述多孔質(zhì)膜的孔部成膜穿過防止膜，該穿過防止膜用于防止對所述含硅膜進行蝕刻的蝕刻氣體穿過該孔部而向非蝕刻對象膜供給；以及

蝕刻氣體供給部，其向所述處理容器內(nèi)供給所述蝕刻氣體，

該蝕刻裝置還包括控制部，該控制部進行控制以使得所述蝕刻裝置執(zhí)行根據(jù)權(quán)利要求1～8中的任一項所述的蝕刻方法的各個步驟。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的蝕刻裝置，其特征在于，

該蝕刻裝置設置有控制部，該控制部輸出控制信號，以使所述成膜氣體的供給和所述蝕刻氣體的供給按照所述成膜氣體的供給和所述蝕刻氣體的供給的順序多次反復。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的蝕刻裝置，其特征在于，

該蝕刻裝置設置有控制部，該控制部輸出控制信號，以使所述蝕刻氣體向所述基板的供給和所述成膜氣體向所述基板的供給同時進行。

12.根據(jù)權(quán)利要求9～11中任一項所述的蝕刻裝置，其特征在于，

所述蝕刻氣體供給部是與所述載置部相對地設置的噴頭。

13.根據(jù)權(quán)利要求9～11中任一項所述的蝕刻裝置，其特征在于，

所述成膜氣體供給部以從該成膜氣體供給部供給的所述成膜氣體在向所述基板供給之前與所述處理容器的側(cè)壁碰撞的方式設置。