[發明專利]一種OLED器件結構

在審

• 申請號: 201811610356.1
• 申請日: 2018-12-27
• 公開（公告）號: CN111384252A
• 公開（公告）日: 2020-07-07
• 發明（設計）人: 王坤;戴雷;蔡麗菲
• 申請（專利權）人: 廣東阿格蕾雅光電材料有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 北京兆君聯合知識產權代理事務所(普通合伙) 11333
• 代理人: 胡敬紅

1.磷光摻雜有機電致發光器件，包括陽極、有機層和陰極，所述有機層包括主客體磷光摻雜材料形成的發光層，所述發光層有EML1、EML2兩層組成，EML1層靠近陽極，EML2層靠近陰極；所述EML1、EML2層主體都為Host1，客體都為Dopant1；所述EML1的濃度摻雜比Host1：Dopant1大于EML2的摻雜比Host1：Dopant1；

或者，發光層總厚度不變，所述發光層有順次相連的EML1、EML2、EML3……多層，各層的主體都為Host1，客體都為Dopant1，發光層主客體濃度摻雜比從陽極側至陰極側梯次遞增，或梯次遞減，或者先增后減或先減后增。

2.根據權利要求1所述的磷光摻雜有機電致發光器件，所述發光層為EML1、EML2、EML3共三層，所述EML1的濃度摻雜比Host1：Dopant1小于EML2的摻雜比Host1：Dopant1，EML3的主客體摻雜比小于EML2摻雜比。

3.根據權利要求1所述的磷光摻雜有機電致發光器件，所述發光層為EML1、EML2、EML3共三層，EML1的濃度摻雜比Host1：Dopant1大于EML2的濃度摻雜比Host1：Dopant1，EML3的主客體濃度摻雜比小于EML2摻雜比。

4.根據權利要求1所述的磷光摻雜有機電致發光器件，所述發光層為EML1、EML2、EML3共三層，EML1的濃度摻雜比Host1：Dopant1小于EML2的摻雜比Host1：Dopant1，EML3的主客體濃度摻雜比大于EML2摻雜比。

5.根據權利要求1所述的磷光摻雜有機電致發光器件，所述Host1主體為Pt-04，Dopant1客體為TCTA，

6.根據權利要求1-5任一所述的磷光摻雜有機電致發光器件，所述有機層還包括空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電子注入層、電子傳輸層中的一層或多層。

7.根據權利要求6所述的磷光摻雜有機電致發光器件，所述有機層包括順次相連的空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、空穴阻擋層和電子傳輸層。

8.權利要求7所述的磷光摻雜有機電致發光器件，所述發光層膜厚度為1-200nm。

9.根據權利要求8述的磷光摻雜有機電致發光器件，所述有機層為3nm厚的HATCN空穴注入層30、50nm厚的TAPC空穴傳輸層、7nm厚的客體Pt-04與主體TCTA的摻雜比為21wt％形成的EML1層和3nm厚的客體Pt-04與主體TCTA的摻雜比為19wt％形成的EML2組成的發光層、50nm厚的TmPyPb電子傳輸層60和0.8nm的LiF電子注入層，