[發明專利]二氧化硅層、其制造方法、形成其的組合物及電子裝置

有效

• 申請號: 201811610012.0
• 申請日: 2018-12-27
• 公開（公告）號: CN110903764B
• 公開（公告）日: 2022-02-11
• 發明（設計）人: 裵鎭希;郭澤秀;李忠憲;黃丙奎;司空峻;盧健培;任浣熙;趙炫洙
• 申請（專利權）人: 三星SDI株式會社
• 主分類號: C09D183/16
• 分類號: C09D183/16;C09D183/14;C09D1/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 楊貝貝;臧建明

1.一種用于形成二氧化硅層的組合物，其特征在于，包含：

含硅聚合物，包括聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其組合，其中以所述用于形成二氧化硅層的組合物的總量計，包含0.1重量％到30重量％的量的所述含硅聚合物；以及

溶劑，

其中所述含硅聚合物具有4,000g/mol到13,000g/mol的換算為聚苯乙烯的重量平均分子量，且滿足方程式1：

[方程式1]

0.98≤B/A≤1.24

其中，在方程式1中，

A指示在凝膠滲透色譜曲線中所述含硅聚合物的換算為聚苯乙烯的重量平均分子量為2,700g/mol到9,000g/mol的峰面積，且

B指示在凝膠滲透色譜曲線中所述含硅聚合物的換算為聚苯乙烯的重量平均分子量為200g/mol到2,700g/mol的峰面積。

2.一種用于制造二氧化硅層的方法，其特征在于，包括：

將根據權利要求1所述的用于形成二氧化硅層的組合物涂布在襯底上；

對涂布有所述用于形成二氧化硅層的組合物的所述襯底進行干燥；以及

在大于或等于150℃的包括惰性氣體的氣氛下對所述襯底進行固化。

3.根據權利要求2所述的用于制造二氧化硅層的方法，其特征在于，所述用于形成二氧化硅層的組合物是利用旋涂方法涂布。

4.一種二氧化硅層，其特征在于，利用根據權利要求2所述的用于制造二氧化硅層的方法制造。

5.一種電子裝置，其特征在于，包括根據權利要求4所述的二氧化硅層。