[發明專利]一種碳化硅籽晶的粘接方法以及碳化硅單晶晶錠的制備方法

在審

• 申請號: 201811609801.2
• 申請日: 2018-12-27
• 公開（公告）號: CN109554759A
• 公開（公告）日: 2019-04-02
• 發明（設計）人: 張曉洪;宋東波;程海英;鈕應喜;袁松;劉錦錦
• 申請（專利權）人: 蕪湖啟迪半導體有限公司
• 主分類號: C30B29/36
• 分類號: C30B29/36;C30B23/00
• 代理公司: 蕪湖安匯知識產權代理有限公司 34107
• 代理人: 尹婷婷

1.一種碳化硅籽晶的粘接方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)將硅粉、碳粉以及碳化硅粉末混合，并加入粘結劑，混合均勻，得到混合粉末；

(2)將混合粉末覆于碳化硅晶片上；

(3)將碳化硅籽晶置于碳化硅晶片上的混合粉末上；

(4)將步驟(3)中的碳化硅晶片加熱，將碳化硅籽晶與碳化硅晶片粘接緊密，得到碳化硅粘接籽晶。

2.根據權利要求1所述的一種碳化硅籽晶的粘接方法，其特征在于，所述步驟(1)中，硅粉及碳粉可全部替換為碳化硅粉末。

3.根據權利要求1或2所述的一種碳化硅籽晶的粘接方法，其特征在于，所述步驟(1)中，硅粉與碳粉質量比為7：3；碳化硅粉末占硅粉和碳粉總質量的4％-10％；粘結劑占硅粉和碳粉總質量的4％-10％。

4.根據權利要求1或2所述的一種碳化硅籽晶的粘接方法，其特征在于，所述步驟(1)中，所述粘結劑為淀粉、糊精中的一種或兩種；所述步驟(1)中還可以加入乙二醇、丙二醇或N，N-二甲基乙酰胺作為有機溶劑。

5.根據權利要求1或2所述的一種碳化硅籽晶的粘接方法，其特征在于，所述碳化硅晶片的厚度為100～500μm。

6.根據權利要求1或2所述的一種碳化硅籽晶的粘接方法，其特征在于，所述步驟(4)之后還包括步驟(5)檢驗。

7.根據權利要求6所述的一種碳化硅籽晶的粘接方法，其特征在于，所述步驟(5)檢驗依次包括雙面目檢、背面強光透射目檢、光學顯微鏡表面檢測、PL氣孔裂紋檢測。

8.根據權利要求1或2所述的一種碳化硅籽晶的粘接方法，其特征在于，所述步驟(4)中，碳化硅晶片加熱在加熱爐中進行，加熱的溫度控制在1500℃～2000℃，加熱的時間為8～12h，且在加熱的過程中充惰性氣體進行保護。

9.根據權利要求4所述的一種碳化硅籽晶的粘接方法，其特征在于，所述步驟(4)，需先按照1000℃/h的升溫速率從室溫升溫至1000℃保溫1～2h，然后再升溫至1500℃～2000℃加熱8～12h，且在加熱的過程中充惰性氣體進行保護。

10.一種碳化硅單晶晶錠的制備方法，其特征在于，根據權利要求1-9任意一項所述的方法得到碳化硅粘接籽晶，將其置于碳化硅晶體生長爐中，通過PVT法生長得到碳化硅單晶晶錠。