[發明專利]研磨盤的處理方法在審
| 申請號: | 201811609537.2 | 申請日: | 2018-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN111376183A | 公開(公告)日: | 2020-07-07 |
| 發明(設計)人: | 金志民 | 申請(專利權)人: | 東莞新科技術研究開發有限公司 |
| 主分類號: | B24D18/00 | 分類號: | B24D18/00 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫 |
| 地址: | 523087 *** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 研磨 處理 方法 | ||
本發明的研磨盤的處理方法,包括:提供一研磨盤基材;對所述研磨盤基材進行壓制;對所述研磨盤基材進行刮削;對所述研磨盤基材進行預熱處理;以及在所述研磨盤基材的預定表面上嵌入金剛石研磨液從而形成表面層。本發明的方法可提高金剛石研磨液與研磨盤基材之間的嵌入力,提高研磨盤的硬度,從而延長研磨盤的使用壽命并提高研磨效果。
技術領域
本發明涉及半導體領域,尤其涉及一種用于半導體研磨的研磨盤的處理方法。
背景技術
隨著科技日新月異的發展,對于微電子半導體技術提出了越來越高的要求,半導體的研磨技術也需要越來越精微。
在研磨過程中,半導體晶圓表面與研磨盤的表面接觸,然后,通過晶圓表面與研磨盤的摩擦使原來凹凸不平的晶圓表面變得平坦,研磨盤的作用在于在研磨的過程中始終保持粗糙度,以保持研磨速率的穩定,目前所用的研磨盤是在不銹鋼板材上黏附細小的金剛石顆粒的方法制備。為了得到更好的研磨粗糙度,需要更細更小的金剛石粉來配制研磨液,然而,尺寸更小的金剛石顆粒在研磨盤上的嵌入力變小,容易從研磨盤基材上脫落,切削率下降快,使得研磨盤的壽命降低,進而使生產率降低。
因此,亟待提供一種改良的研磨盤的處理方法,使得其可與研磨液更好嵌合,從而提高研磨盤的使用壽命并提高研磨效果。
發明內容
本發明的目的在于提供一種研磨盤的處理方法,其可提高金剛石研磨液與研磨盤基材之間的嵌入力,提高研磨盤的硬度,從而延長研磨盤的使用壽命并提高研磨效果。
為實現上述目的,研磨盤的處理方法,包括以下步驟:
提供一研磨盤基材;
對所述研磨盤基材進行壓制;
對所述研磨盤基材進行刮削;
對所述研磨盤基材進行預熱處理;以及
在所述研磨盤基材的預定表面上嵌入金剛石研磨液從而形成表面層。
與現有技術相比,本發明研磨盤的處理方法在嵌入金剛石研磨液之前將研磨盤基材預熱,經過預熱后的研磨盤基材盤表面的晶體結構發生同素異形變化,重新結晶,使得小尺寸的金剛石可牢固嵌入在該晶體表面,降低切削率下降速度,從而延長研磨盤的使用壽命;而且研磨盤的硬度提高,研磨效果被改善。
較佳地,所述預熱處理包括:將所述研磨盤基材置于加熱室內,控制加熱溫度為35-50℃,加熱時長為0.5-2小時。
更佳地,控制加熱溫度為35℃,加熱時長為0.5-1小時。
較佳地,在嵌入金剛石研磨液的步驟之后還包括:清洗所述研磨盤基材。
較佳地,所述研磨盤基材包括錫。
具體實施方式
下面結合實施例對本發明的研磨盤的處理方法作進一步說明,但不因此限制本發明。
本發明的研磨盤的處理方法一個實施例包括以下步驟:
提供一研磨盤基材;
對所述研磨盤基材進行壓制;
對所述研磨盤基材進行刮削;
對所述研磨盤基材進行預熱處理;
在所述研磨盤基材的預定表面上嵌入金剛石研磨液從而形成表面層。
具體地,該基材為金屬或不銹鋼材質,較佳為錫盤。在壓制和刮削處理后,研磨盤基材的表面被壓平坦化,且表面及邊緣位置被刮削干凈,以便于后續的處理。需注意的是,壓制和刮削處理均以傳統現有方法進行。
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