[發(fā)明專利]發(fā)光二極管的外延片及其制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811608439.7 | 申請(qǐng)日： | 2018-12-27 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN109786513B | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-08-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陶章峰;張武斌;程金連;喬楠;胡加輝;李鵬 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 華燦光電（浙江）有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/00 | 分類號(hào)： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光二極管 外延 及其 制作方法 | ||
1.一種發(fā)光二極管的外延片，其特征在于，所述外延片包括襯底和依次形成在所述襯底上的AlN緩沖層、BxAl1-xN緩沖層、三維成核層、二維緩沖恢復(fù)層、u型GaN層、n型GaN層、應(yīng)力釋放層、發(fā)光層和p型層，0＜x≤0.2。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片，其特征在于，所述BxAl1-xN緩沖層中的B的組分含量從所述AlN緩沖層一側(cè)向所述三維成核層一側(cè)逐漸增大。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的外延片，其特征在于，所述BxAl1-xN緩沖層包括多個(gè)BxAl1-xN子層，同一個(gè)所述BxAl1-xN子層內(nèi)的B的組分含量不變，所述多個(gè)BxAl1-xN子層的B的組分含量從所述AlN緩沖層一側(cè)向所述三維成核層一側(cè)逐層遞增。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的外延片，其特征在于，所述多個(gè)BxAl1-xN子層的厚度相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的外延片，其特征在于，所述BxAl1-xN緩沖層的厚度為15～30nm。
6.一種發(fā)光二極管的外延片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供一襯底；
在所述襯底上依次外延生長(zhǎng)AlN緩沖層、BxAl1-xN緩沖層、三維成核層、二維緩沖恢復(fù)層、u型GaN層、n型GaN層、應(yīng)力釋放層、發(fā)光層和p型層，0＜x≤0.2。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述BxAl1-xN緩沖層包括多個(gè)BxAl1-xN子層，同一個(gè)所述BxAl1-xN子層內(nèi)的B的組分含量不變，所述多個(gè)BxAl1-xN子層的B的組分含量從所述AlN緩沖層一側(cè)向所述三維成核層一側(cè)逐層遞增。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述多個(gè)BxAl1-xN子層的生長(zhǎng)溫度從所述AlN緩沖層一側(cè)向所述三維成核層一側(cè)逐層升高。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述多個(gè)BxAl1-xN子層的生長(zhǎng)壓力從所述AlN緩沖層一側(cè)向所述三維成核層一側(cè)逐層升高。
10.根據(jù)權(quán)利要求6～9任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，所述BxAl1-xN緩沖層的生長(zhǎng)溫度為1000℃～1100℃，生長(zhǎng)壓力為150torr～500torr。
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