[發明專利]ONO薄膜的工藝方法在審
| 申請號： | 201811607465.8 | 申請日： | 2018-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN109698117A | 公開（公告）日： | 2019-04-30 |
| 發明（設計）人： | 王青;孫勤;高勇平 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化層 自由基氧化工藝 隧道氧化層 半導體硅 氮化層 第一層 襯底 氮化硅層 制造工藝 生長 工藝流程 均一性 易調節 沉積 可用 制備 摻雜 替代 生產 | ||
1.一種ONO薄膜的方法，是適用于SONOS存儲器制造工藝中形成ONO薄膜，其特征在于：包含主要工藝流程如下：
第一步，提供一半導體硅襯底，在所述半導體硅襯底上采用低壓自由基氧化工藝生長一層氧化層；
第二步，在上述形成的氧化層中摻雜N，在所述氧化層上形成一層SiON層。
第三步，繼續形成一層氮化硅層。
第四步，再次完成氧化層沉積。
2.如權利要求1所述的ONO薄膜的方法，其特征在于：所述第一步中，利用高可靠性隧穿氧化層成膜設備來完成低壓自由基氧化工藝。
3.如權利要求1所述的ONO薄膜的方法，其特征在于：所述第一步中形成的氧化層作為SONOS存儲器的隧道氧化層。
4.如權利要求1所述的ONO薄膜的方法，其特征在于：所述第二步中，使用多晶硅柵間介質氮化設備利用SPA-N(Slot Plane Antenna Nitridation)工藝方法進行摻N。
5.如權利要求1所述的ONO薄膜的方法，其特征在于：所述第三步中，采用低壓沉積工藝完成氮化硅層的制備。
6.如權利要求1所述的ONO薄膜的方法，其特征在于：所述第四步中，采用高溫低壓沉積工藝來淀積氧化層。
7.如權利要求1或4所述的ONO薄膜的方法，其特征在于：所述的氧化層中摻N，摻N的濃度和深度可調，能有效提高器件可靠性。
8.如權利要求1所述的ONO薄膜的方法，其特征在于：通過低壓自由基氧化工藝形成氧化層，并且再在氧化硅表層形成一層SiON層，提高ONO膜層的均一性。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華力微電子有限公司，未經上海華力微電子有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811607465.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種納米金剛石復合涂層刀具硅片制備方法
- 下一篇：芯片的制造方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
