[發明專利]溝槽MOSFET和溝槽MOSFET的制造方法

在審

• 申請號: 201811607412.6
• 申請日: 2018-12-27
• 公開（公告）號: CN111384168A
• 公開（公告）日: 2020-07-07
• 發明（設計）人: 肖璇;葉俊;李杰
• 申請（專利權）人: 無錫華潤華晶微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423
• 代理公司: 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415
• 代理人: 林祥

1.一種溝槽MOSFET，其特征在于，包括：

外延層(110)，具有第一導電類型；

多個溝槽(200)，形成于所述外延層(110)中，所述多個溝槽的至少兩個相連通；所述溝槽(200)的內部設置有柵結構(300)；

體區(400)，具有第二導電類型，設置在所述溝槽之間。

2.如權利要求1所述的溝槽MOSFET，其特征在于，所述體區(400)具有多個側面，所述所述體區(400)的至少三個側面鄰接于所述溝槽(200)。

3.如權利要求2所述的溝槽MOSFET，其特征在于，所述體區(400)的側面的個數為四個，并且所述側面均鄰接于溝槽(200)。

4.如權利要求1所述的溝槽MOSFET，其特征在于，所述溝槽(200)包括第一溝槽(201)和第二溝槽(202)；所述第一溝槽(201)沿第一方向延伸，所述第二溝槽(202)沿第二方向延伸，所述第一方向和第二方向均與所述高度方向存在不為零的夾角；并且所述第一方向和所述第二方向存在不為零的夾角，以使所述第一溝槽(201)和所述第二溝槽(202)相交形成一網狀的總溝槽；

在所述第一溝槽(201)和所述第二溝槽(202)之間設置所述體區(400)。

5.如權利要求4所述的溝槽MOSFET，其特征在于，所述第一方向為所述襯底(100)的橫向方向，所述第二方向為所述襯底(100)的縱向方向，所述縱向方向和所述橫向方向均垂直于所述高度方向；所述體區為矩形柱狀結構。

6.如權利要求4所述的溝槽MOSFET，其特征在于，所述第一溝槽(201)和所述第二溝槽(202)的數量均為多個，相鄰的兩個所述第一溝槽(201)間隔的距離相等，相鄰的兩個所述第二溝槽(202)間隔的距離相等且等于相鄰的兩個所述第一溝槽(201)間隔的距離。

7.如權利要求4所述的溝槽MOSFET，其特征在于，所述溝槽MOSFET還包括源極(600)和漏極(700)和接觸層(800)；所述接觸層(800)設于所述體區(400)的上方；所述源極(600)位于所述接觸層(800)和所述所述溝槽(200)的上方；所述漏極(700)位于所述襯底(100)的下方；

在所述接觸層(800)和所述體區(400)中形成一自所述接觸層(800)的上表面向下延伸至所述體區(400)的接觸孔(900)，所述接觸孔(900)用于容納所述源極(600)的金屬。

8.如權利要求7所述的溝槽MOSFET，其特征在于，所述接觸層(800)的上表面與所述溝槽(200)的上表面相齊平。

9.如權利要求1-8中任意一項所述的溝槽MOSFET，其特征在于，所述柵結構(300)包括屏蔽柵電極(310)、位于所述屏蔽柵電極(310)上方的控制柵電極(320)、包覆所述屏蔽柵電極(310)并填充在所述控制柵電極(320)側部和底部的介質層(330)。

10.一種溝槽MOSFET的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供襯底(100)，具有第一導電類型；

在所述襯底上形成具有第一導電類型的外延層；

在所述外延層上形成多個溝槽(200)，至少兩個溝槽相連通；

在所述溝槽(200)內制備柵結構(300)；在所述溝槽之間制備具有第二導電類型的體區(400)。

11.如權利要求10所述的溝槽MOSFET的制造方法，其特征在于，所述所述溝槽(200)兩兩相交。