[發明專利]光學臨近效應修正方法

有效

• 申請號: 201811607301.5
• 申請日: 2018-12-27
• 公開（公告）號: CN109507847B
• 公開（公告）日: 2022-02-01
• 發明（設計）人: 翟翠紅;張逸中;于世瑞
• 申請（專利權）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 焦天雷

1.一種光學臨近效應修正方法，用于校正半導體器件多晶硅層偏移圖形，其特征在于，包括以下步驟：

1)根據多晶硅層圖形之間距離將其劃分為高密度圖形區域和低密度圖形區域；

2)通過版圖邏輯運算選取低密度圖形區域中發生位移的圖形；

3)對步驟2)選取需要移動處理的圖形執行移動校正

其中，所述低密度圖形區域選取通過以下方式；

通過版圖邏輯運算選出所有與多晶硅層(PO)有交疊的有源區層(AA)，并篩選出有源區層(AA)與多晶硅層(PO)接觸邊，將所述接觸邊往外擴大第一尺寸(W1)得到第一中間區域，第一中間區域與有源區層(AA)通過版圖邏輯運算得到第一多邊形(A1)，選出不在第一多邊形(A1)區域的多晶硅層(PO)邊，并進一步篩選出不在第一多邊形(A1)區域的多晶硅層(PO)邊中間距大于第二尺寸(W2)的邊，將選出的邊進行邏輯運算，選出距離有源區層(AA)、通孔層(CT)和多晶硅層(PO)均存在安全區域的第一邊(L1)所在的多邊形作為低密度圖形區域。

2.如權利要求1所述的光學臨近效應修正方法，其特征在于：所述第一尺寸(W1)范圍為50nm～150nm。

3.如權利要求2所述的光學臨近效應修正方法，其特征在于：所述第一尺寸(W1)范圍為100nm。

4.如權利要求1所述的光學臨近效應修正方法，其特征在于：所述第二尺寸(W2)范圍為180nm～200nm。

5.如權利要求1所述的光學臨近效應修正方法，其特征在于：所述高密度圖形區域選取通過以下方式；

通過版圖邏輯運算選出多晶硅層(PO)圖形間距在第三尺寸(W3)范圍內的區域組成第二多邊形(A2)，選取第二多邊形(A2)中間距在第四尺寸(W4)范圍內的區域組成第三多邊形(A3)，將第二多邊形(A2)和第三多邊形(A3)合并起來組成第四多邊形(A4)，選取第四多邊形(A4)中邊長大于第五尺寸(W5)的第五多邊形(A5)，選取接觸到多晶硅層(PO)圖形大于等于預定值的第五多邊形(A5)組成第六多邊形(A6)，將第六多邊形(A6)作為高密度圖形區域。

6.如權利要求5所述的光學臨近效應修正方法，其特征在于：所述第三尺寸(W3)范圍為110nm～150nm。

7.如權利要求5所述的光學臨近效應修正方法，其特征在于：所述第四尺寸(W4)范圍為120nm。

8.如權利要求5所述的光學臨近效應修正方法，其特征在于：所述第五尺寸(W5)范圍為270nm～300nm。

9.如權利要求5所述的光學臨近效應修正方法，其特征在于：所述預定值是四個以上。

10.如權利要求5所述的光學臨近效應修正方法，其特征在于：所述低密度區域發生位移的圖形采用以下方式選取；通過版圖邏輯運算選取第六多邊形(A6)與第一邊(L1)距離在第六尺寸(W6)范圍內的第六多邊形(A6)組成第七多邊形(A7)。

11.如權利要求10所述的光學臨近效應修正方法，其特征在于：所述第六尺寸(W6)范圍為50nm～120nm。

12.如權利要求10所述的光學臨近效應修正方法，其特征在于：需要移動處理的圖形為第七多邊形(A7)與第一邊(L1)共邊的第二邊(L2)，以及第七多邊形(A7)與第四多邊形(A4)共邊的第三邊(L3)。

13.如權利要求12所述的光學臨近效應修正方法，其特征在于：所述低密度圖形區域執行移動校正取值范圍為0～10nm。

14.如權利要求13所述的光學臨近效應修正方法，其特征在于：執行移動校正時，將第二邊(L2)向低密度區域移動，將第三邊(L3)向第二邊(L2)方向移動。