[發明專利]半導體器件及其制造方法在審
| 申請號： | 201811607166.4 | 申請日： | 2018-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN109473472A | 公開（公告）日： | 2019-03-15 |
| 發明（設計）人： | 陳雨雁;周炳;許新佳;趙承杰;夏凱 | 申請（專利權）人： | 張家港意發功率半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/16 | 分類號： | H01L29/16;H01L29/20;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 蘇州國誠專利代理有限公司 32293 | 代理人： | 楊淑霞 |
| 地址： | 215600 江蘇省蘇州市張*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 石墨烯層 金屬層 石墨烯 襯底層 電子遷移率 高導熱性 高溫合金 金半接觸 歐姆接觸 散熱性能 功函數 可調的 墊層 制造 | ||
1.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括：
襯底層；
位于所述襯底層上的GaN層；
位于所述GaN層上的AlGaN層；
位于所述AlGaN層上的石墨烯層；
位于所述石墨烯層上的金屬層，所述金屬層通過所述石墨烯層與所述AlGaN層形成金半接觸的歐姆連接。
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述襯底層為Si襯底或藍寶石襯底。
3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述AlGaN層被設計為摻雜型的AlxGa1-xN層。
4.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述金屬層包括Ti層。
5.根據權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，所述金屬層還包括依次位于所述Ti層上的Ni層和Au層。
6.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括如下步驟：
S1、提供襯底層，在所述襯底層上依次生長GaN層、AlGaN層；
S2、直接在AlGaN層表面用CVD法生長石墨烯層；
S3、通過電子束蒸發或磁控濺射的方式在石墨烯層上制作金屬層；
S4、通過光刻定義電極圖形，并去除多余金屬和石墨烯層；
S5、對制作的金屬層進行真空退火。
7.根據權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，步驟S5中，退火溫度為500～600℃，時間為1.5～10min。
8.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括如下步驟：
S1、提供襯底層，在所述襯底層上依次生長GaN層、AlGaN層；
S2、采用CVD法在Cu襯底上淀積石墨烯層，并轉移至AlGaN層的表面；
S3、通過電子束蒸發或磁控濺射的方式在石墨烯層上制作金屬層；
S4、通過光刻定義電極圖形，并去除多余金屬和石墨烯層；
S5、對制作的金屬層進行真空退火。
9.根據權利要求8所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，步驟S5中，退火溫度為500～600℃，時間為1.5～10min。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于張家港意發功率半導體有限公司，未經張家港意發功率半導體有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811607166.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：功率器件及其制造方法
- 下一篇：半導體器件
- 同類專利
- 專利分類
