[發(fā)明專利]利用摻鎵單晶硅回收料生產(chǎn)低光衰直拉單晶硅棒的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811606677.4 | 申請日： | 2018-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN109457292A | 公開（公告）日： | 2019-03-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張文霞;高潤飛;高樹良;谷守偉;裘孝順;武志軍;郭志榮;劉偉;張全順 | 申請（專利權(quán)）人： | 內(nèi)蒙古中環(huán)光伏材料有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/00 | 分類號： | C30B15/00;C30B29/06;C30B31/00;C30B33/00 |
| 代理公司： | 天津諾德知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 欒志超 |
| 地址： | 010070 內(nèi)蒙古自*** | 國省代碼： | 內(nèi)蒙古;15 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 回收料 單晶硅 多晶硅 直拉單晶硅棒 裝料 低光 比例配置 單晶硅棒 單晶拉制 直拉單晶 電阻率 質(zhì)量比 最大化 鎵合金 鎵回收 鎵元素 熔融 生產(chǎn)成本 生產(chǎn) 合金 | ||
1.利用摻鎵單晶硅回收料生產(chǎn)低光衰直拉單晶硅棒的方法，其特征在于：將多晶硅和摻鎵單晶硅回收料進行混合裝料，熔融后進行單晶拉制，所述多晶硅和摻鎵單晶硅回收料裝料時，所述多晶硅與所述摻鎵單晶硅回收料的質(zhì)量比按能使合格電阻率區(qū)間最大化的比例配置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用摻鎵單晶硅回收料生產(chǎn)低光衰直拉單晶硅棒的方法，其特征在于：所述多晶硅與所述摻鎵單晶硅回收料的質(zhì)量比為4-8:2-6。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的利用摻鎵單晶硅回收料生產(chǎn)低光衰直拉單晶硅棒的方法，其特征在于：將所述多晶硅和所述摻鎵單晶硅回收料進行混合裝料具體包括以下步驟：
A1：對所述多晶硅和所述摻鎵單晶硅回收料進行篩選分類，篩選小尺寸多晶硅和小尺寸摻鎵單晶硅回收料；
A2：將所述小尺寸多晶硅鋪設(shè)于所述適應(yīng)坩堝的底部，將所述小尺寸摻鎵單晶硅回收料鋪設(shè)與所述小尺寸多晶硅的上部，將邊皮回收料鋪設(shè)在所述坩堝的四周；
A3：將所述摻鎵單晶硅回收料鋪設(shè)于所述小尺寸摻鎵多晶硅的上部，將所述多晶硅設(shè)于所述多晶硅回收料的四周。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的利用摻鎵單晶硅回收料生產(chǎn)低光衰直拉單晶硅棒的方法，其特征在于：所述步驟A1中的篩選標準為長度為3-12mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的利用摻鎵單晶硅回收料生產(chǎn)低光衰直拉單晶硅棒的方法，其特征在于：所述步驟A3中還可以在所述摻鎵單晶硅回收料的四周鋪設(shè)頭尾回收料或棒料。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的利用摻鎵單晶硅回收料生產(chǎn)低光衰直拉單晶硅棒的方法，其特征在于：在將所述多晶硅和摻鎵單晶硅回收料進行混合裝料前，對摻鎵單晶回收料電阻率進行測試并按不同電阻率值區(qū)間進行分組，分組后對所述摻鎵單晶硅回收料進行清洗。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的利用摻鎵單晶硅回收料生產(chǎn)低光衰直拉單晶硅棒的方法，其特征在于：所述清洗包括以下步驟：
S1：用乙醇對所述摻鎵單晶硅回收料進行清洗；
S2：用堿性清洗劑對所述摻鎵單晶硅回收料進行清洗；
S3：用混酸溶液對所述摻鎵單晶硅回收料進行清洗。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的利用摻鎵單晶硅回收料生產(chǎn)低光衰直拉單晶硅棒的方法，其特征在于：在對所述摻鎵單晶硅回收料清洗之前進行雜質(zhì)處理。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的利用摻鎵單晶硅回收料生產(chǎn)低光衰直拉單晶硅棒的方法，其特征在于：所述堿性清洗劑包括苛性堿、磷酸鹽、硝酸鹽、碳酸鹽、螯合劑和表面活性劑。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的利用摻鎵單晶硅回收料生產(chǎn)低光衰直拉單晶硅棒的方法，其特征在于：在所述步驟S3之前，對所述摻鎵單晶硅回收料進行純水超聲清洗，所述混酸溶液為氫氟酸與硝酸的混合溶液，所述氫氟酸與所述硝酸的摩爾比為：0.5-1:2-5。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于內(nèi)蒙古中環(huán)光伏材料有限公司，未經(jīng)內(nèi)蒙古中環(huán)光伏材料有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811606677.4/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
