[發明專利]一種溫度補償的CMOS張弛振蕩器電路

在審

• 申請號: 201811605614.7
• 申請日: 2018-12-26
• 公開（公告）號: CN109714024A
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發明（設計）人: 謝亮;吳唐政;張文杰;金湘亮
• 申請（專利權）人: 湘潭芯力特電子科技有限公司
• 主分類號: H03K3/011
• 分類號: H03K3/011;H03K3/012
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種溫度補償的CMOS張弛振蕩器電路，其特征在于：所述電路包括RC充放電網絡（1）、遲滯比較器（2）、PD控制模塊（3）、緩沖器（4）、二分頻（5）；其中，RC充放電網絡（1）包含第一電阻、第二電阻、電容，緩沖器（4）包含第一反相器、第二反相器；第一電阻的一端與PD控制模塊（3）的輸出端、緩沖器（4）的輸入端相連接，第一電阻的另一端與電容、遲滯比較器（2）的輸入端相連接，第二電阻的一端與電容相連接, 第二電阻的另一端與緩沖器（4）的第一反相器的輸出端以及第二反相器的輸入端、二分頻（5）的輸入端相連接；遲滯比較器（2）的輸出端與PD控制模塊（3）的第一輸入端相連接；PD控制模塊（3）的輸出端與緩沖器（4）的輸入端相互連接，PD控制模塊（3）的第二輸入端與外部控制信號PD相連接；緩沖器（4）的輸出端與二分頻（5）的輸入端相連接；所述遲滯比較器（2）、PD控制模塊（3）、緩沖器（4）中的所有MOS管采用級聯方式連接。

2.如權利要求1所述的一種溫度補償的CMOS張弛振蕩器電路，其特征在于：第一電阻是具有低負溫度系數的p型多晶硅電阻（非硅化）、N型多晶硅電阻（非硅化）、或高阻多晶硅電阻，第二電阻是具有低負溫度系數p型多晶硅電阻（非硅化）、或具有正溫度系數的擴散電阻。

3.如權利要求1所述的一種溫度補償的CMOS張弛振蕩器電路，其特征在于：電容為由第零電容、第一電容、第一開關、第二電容、第二開關、第三電容、第三開關、第四電容、第四開關組成的4位電容修調陣列，第一電阻與第零電容一端、第一開關的一端、第二開關的一端、第三開關的一端、第四開關的一端、遲滯比較器（2）的輸入端相連接，第一開關的另一端與第一電容的一端相連接，第二開關的另一端與第二電容的一端相連接，第三開關的另一端與第三電容的一端相連接，第四開關的另一端與第四電容的一端相連接，第零電容另一端與第一電容的另一端、第二電容的另一端、第三電容的另一端、第四電容的另一端、第二電阻的一端相連接。

4.如權利要求1所述的一種溫度補償的CMOS張弛振蕩器電路，其特征在于：所述遲滯比較器（2）含有第三電阻、第四電阻、第一P型MOS管、第二P型MOS管、第三P型MOS管、第四P型MOS管、第五P型MOS管、第六P型MOS管、第一N型MOS管、第二N型MOS管、第三N型MOS管、第四N型MOS管、第五N型MOS管、第六N型MOS管，第三電阻與第四電阻的比值控制RC充放電網絡（1）輸出信號的翻轉點電平，并輸出高低電平信號給到PD控制模塊（3）的第一輸入端；遲滯比較器（2）電路按以下方式連接：第三電阻的一端與RC充放電網絡（1）的輸出端相連接，第三電阻的另一端與第四電阻的一端、第一P型MOS管的柵極、第二P型MOS管的柵極、第三P型MOS管的柵極、第一N型MOS管的柵極、第二N型MOS管的柵極、第三N型MOS管的柵極相連接，第一P型MOS管的源極與電源相連接，第一P型MOS管的漏極與第二P型MOS管的源極相連接，第二P型MOS管的漏極與第三P型MOS管的源極相連接，第三P型MOS管的漏極與第一N型MOS管的漏極、第四P型MOS管的柵極、第五P型MOS管的柵極、第六P型MOS管的柵極相連接，第一N型MOS管的源極與第二N型MOS管的漏極相連接，第二N型MOS管的源極與第三N型MOS管的漏極相連接，第三N型MOS管的漏極與地相連接，第四P型MOS管的源極與電源相連接，第四P型MOS管的漏極與第五P型MOS管的源極相連接，第五P型MOS管的漏極與第六P型MOS管的源極相連接，第六P型MOS管的漏極與第四N型MOS管的漏極、PD控制模塊（3）的輸入端相連接，第四N型MOS管的源極與第五N型MOS管的漏極相連接，第五N型MOS管的源極與第六N型MOS管的漏極相連接，第六N型MOS管的源極與地相連接。