[發(fā)明專利]一種空氣隙型壓電體聲波器件異質(zhì)集成方法和該器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811605254.0 | 申請日： | 2018-12-26 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN109802645A | 公開（公告）日： | 2019-05-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 龐慰;高傳海;張孟倫 | 申請（專利權(quán)）人： | 天津大學(xué);諾思（天津）微系統(tǒng)有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào)： | H03H9/00 | 分類號(hào)： | H03H9/00;H03H9/02 |
| 代理公司： | 北京漢智嘉成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11682 | 代理人： | 姜?jiǎng)?谷惠敏 |
| 地址： | 300072*** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 體聲波器件 壓電體聲波 空氣隙 軟印章 中間層 異質(zhì) 材料轉(zhuǎn)移 集成結(jié)構(gòu) 目標(biāo)系統(tǒng) 溫度要求 支撐結(jié)構(gòu) 集成度 堆疊式 可轉(zhuǎn)移 犧牲層 供體 基底 空腔 薄膜 印刷 | ||
1.一種空氣隙型壓電體聲波器件異質(zhì)集成方法，其特征在于，包括：
使用軟印章將體聲波器件薄膜從供體基底上提起；
使用所述軟印章將所述體聲波器件放到CMOS電路上方的中間層上，并同時(shí)使所述體聲波器件位于所述中間層的指定位置，所述指定位置具有空腔，或者所述指定位置具有支撐結(jié)構(gòu)及犧牲層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述中間層為半固態(tài)的UV膠。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述指定位置具有空腔，并且使用所述軟印章將所述體聲波器件放到CMOS電路上方的中間層上的步驟之前，還包括：在中間層上形成黏附層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述指定位置具有支撐結(jié)構(gòu)及犧牲層，并且使用所述軟印章將所述體聲波器件放到CMOS電路上方的中間層上的步驟之前，還包括：在支撐結(jié)構(gòu)上形成黏附層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的方法，其特征在于，在使用所述軟印章將所述體聲波器件放到CMOS電路上方的中間層上的步驟之后，還包括：去除所述犧牲層，以形成空腔。
6.一種異質(zhì)集成的空氣隙型壓電體聲波器件，其特征在于，所述空氣隙型壓電體聲波器件是通過權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的方法所制備。
7.一種異質(zhì)集成的空氣隙型壓電體聲波器件，其特征在于，包括：基底、位于所述基底上方的CMOS電路、位于所述CMOS電路上方的具有空腔的中間層，位于空腔上方的體聲波器件薄膜，以及電極板、電極板窗口和金屬導(dǎo)電薄膜。
8.一種異質(zhì)集成的空氣隙型壓電體聲波器件，其特征在于，包括：基底、位于所述基底上方的CMOS電路、位于所述CMOS電路上方的具有空腔的UV膠層，位于空腔上方的體聲波器件薄膜，以及電極板、電極板窗口和金屬導(dǎo)電薄膜。
9.一種異質(zhì)集成的空氣隙型壓電體聲波器件，其特征在于，包括：基底、位于所述基底上方的CMOS電路，位于所述CMOS電路上方的支撐結(jié)構(gòu)，位于所述支撐結(jié)構(gòu)上方的體聲波器件薄膜，以及電極板。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的異質(zhì)集成的空氣隙型壓電體聲波器件，其特征在于，所述中間層之上具有黏附層或者所述支撐結(jié)構(gòu)之上具有黏附層。
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