[發(fā)明專利]晶圓級(jí)封裝方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811604437.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-12-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111370328B | 公開(公告)日: | 2022-05-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 秦曉珊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯集成電路(寧波)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/56 | 分類號(hào): | H01L21/56;H01L21/683 |
| 代理公司: | 上海知錦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人: | 高靜;李麗 |
| 地址: | 315800 浙江省寧波市北*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶圓級(jí) 封裝 方法 | ||
1.一種晶圓級(jí)封裝方法,其特征在于,包括:
提供集成有第一芯片的器件晶圓,所述器件晶圓包括集成有所述第一芯片的第一正面以及與所述第一正面相背的第一背面;
提供承載基板,在所述承載基板上臨時(shí)鍵合待集成的第二芯片,所述第二芯片具有背向所述承載基板的待鍵合面,相鄰所述第二芯片與所述承載基板之間圍成塑封區(qū);
進(jìn)行選擇性噴涂處理,向所述塑封區(qū)噴灑塑封料,且對(duì)所述塑封料進(jìn)行固化處理,形成位于所述塑封區(qū)的塑封層,所述塑封層覆蓋所述承載基板和所述第二芯片的側(cè)壁;選擇性噴涂處理的步驟包括:獲取所述承載基板上的塑封區(qū)的位置信息;基于獲取的所述位置信息,進(jìn)行所述選擇性噴涂處理;塑封區(qū)具有相對(duì)的第一邊界和第二邊界,在所述第一邊界且距離所述第一邊界第一距離時(shí),開始噴灑塑封料,在距離所述第二邊界第二距離且未超過所述第二邊界時(shí),結(jié)束向塑封區(qū)噴灑塑封料;
所述選擇性噴涂處理的方法包括:提供可移動(dòng)的噴頭;所述噴頭移動(dòng)經(jīng)過同一塑封區(qū)上方至少兩次,以形成所述塑封層;
形成所述塑封層后,使所述鍵合面和所述第一正面相對(duì)設(shè)置,采用低溫熔融鍵合工藝實(shí)現(xiàn)所述器件晶圓和第二芯片的鍵合。
2.如權(quán)利要求1所述的封裝方法,其特征在于,所述選擇性噴涂處理的方法還包括:
采用所述噴頭在所述承載基板上方移動(dòng),當(dāng)所述噴頭移動(dòng)經(jīng)過所述塑封區(qū)上方時(shí),所述噴頭向所述塑封區(qū)噴灑塑封料。
3.如權(quán)利要求2所述的封裝方法,其特征在于,所述噴頭前一次移動(dòng)經(jīng)過所述塑封區(qū)上方時(shí)的移動(dòng)路徑具有第一方向,所述噴頭后一次移動(dòng)經(jīng)過同一塑封區(qū)上方時(shí)的移動(dòng)路徑具有第二方向,所述第二方向與第一方向不同。
4.如權(quán)利要求2或3所述的封裝方法,其特征在于,所述第二芯片在所述承載基板上呈沿X方向和Y方向的陣列式分布,所述陣列式分布的第二芯片與承載基板之間圍成若干行塑封區(qū)和若干列塑封區(qū);所述噴頭的移動(dòng)路徑具有的方向包括:+X方向、-X方向、+Y方向或者-Y方向中的一種或多種。
5.如權(quán)利要求4所述的封裝方法,其特征在于,所述噴頭的移動(dòng)路徑具有的方向還包括:與X方向呈45°的傾斜方向或者與Y方向呈45°的傾斜方向。
6.如權(quán)利要求1所述的封裝方法,其特征在于,獲取所述塑封區(qū)的位置信息的方法包括:基于預(yù)設(shè)位置信息將所述第二芯片置于所述承載基板上后,將所述預(yù)設(shè)位置信息作為所述塑封區(qū)的位置信息;或者,在將所述第二芯片置于承載基板上后,對(duì)承載基板表面進(jìn)行光照射,采集經(jīng)承載基板表面反射的光信息,獲取塑封區(qū)的位置信息。
7.如權(quán)利要求1所述的封裝方法,其特征在于,基于獲取的所述位置信息,進(jìn)行所述選擇性噴涂處理的方法包括:所述噴頭在所述承載基板上方移動(dòng)的同時(shí),即時(shí)獲取所述噴頭在承載基板上的實(shí)時(shí)位置;基于該實(shí)時(shí)位置和獲取的位置信息,控制所述噴頭在承載基板上移動(dòng)的過程中向所述塑封區(qū)噴灑塑封料。
8.如權(quán)利要求2所述的封裝方法,其特征在于,在所述選擇性噴涂處理的步驟中,所述噴頭與所述承載基板之間的垂直距離為5mm~30mm,所述噴頭移動(dòng)的速率為0.01m/s至0.1m/s,所述噴頭噴灑塑封料的流量為1ml/s至10ml/s。
9.如權(quán)利要求1所述的封裝方法,其特征在于,所述選擇性噴涂處理的方法包括:
提供噴頭和可移動(dòng)載臺(tái);將所述承載基板置于所述可移動(dòng)載臺(tái)上,使所述承載基板在噴頭下方移動(dòng),當(dāng)所述塑封區(qū)移動(dòng)至所述噴頭下方時(shí),所述噴頭向所述塑封區(qū)噴灑塑封料。
10.如權(quán)利要求1所述的封裝方法,其特征在于,在所述選擇性噴涂處理結(jié)束后,進(jìn)行所述固化處理。
11.如權(quán)利要求10所述的封裝方法,其特征在于,在進(jìn)行所述固化處理之前,還包括,在進(jìn)行所述選擇性噴涂處理過程中,對(duì)位于所述塑封區(qū)的塑封料進(jìn)行加熱處理,且所述加熱處理的工藝溫度低于所述固化處理的工藝溫度。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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