[發明專利]具有二維溝道結構的垂直場效應晶體管

在審

• 申請號: 201811601984.3
• 申請日: 2018-12-26
• 公開（公告）號: CN110021667A
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發明（設計）人: 樸容喜;姜明吉;宋映錫;千健龍
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 劉培培;黃隸凡

1.一種垂直場效應晶體管，其特征在于，包括：

第一源極/漏極區；

溝道結構，從所述第一源極/漏極區向上突出且被配置成用作溝道，所述溝道結構在平面圖中具有二維結構，所述溝道結構在所述溝道結構的至少一側處具有開口，所述溝道結構包括一個或兩個第一部分以及一個或多個第二部分，所述一個或兩個第一部分在第一方向上延伸，且所述一個或多個第二部分連接到所述一個或兩個第一部分中的對應的一者或多者且在第二方向上延伸，所述第二方向與所述第一方向不同；

柵極結構，水平地環繞所述溝道結構；以及

第二源極/漏極區，在所述溝道結構上向上。

2.根據權利要求1所述的垂直場效應晶體管，其特征在于，所述第二源極/漏極區及所述溝道結構設置在鰭結構中，所述鰭結構是襯底的突出部分。

3.根據權利要求2所述的垂直場效應晶體管，其特征在于，所述第一源極/漏極區設置在所述襯底中。

4.根據權利要求2所述的垂直場效應晶體管，其特征在于，所述第一源極/漏極區設置在所述鰭結構中。

5.根據權利要求1所述的垂直場效應晶體管，其特征在于，所述第二源極/漏極區在所述柵極結構上方垂直地突出。

6.根據權利要求1所述的垂直場效應晶體管，其特征在于，所述溝道結構具有Π形狀、H形狀、[]形狀、X形狀或Z形狀中的至少一種形狀。

7.一種垂直場效應晶體管，其特征在于，包括：

襯底，包括第一源極/漏極區；

溝道結構，從所述第一源極/漏極區突出且被配置成用作溝道，所述溝道結構在平面圖中具有二維形狀，所述溝道結構在所述溝道結構的至少一側處具有開口，

柵極結構，水平地環繞所述溝道結構；以及

第二源極/漏極區，位于所述溝道結構上。

8.根據權利要求7所述的垂直場效應晶體管，其特征在于，所述溝道結構設置在鰭結構中，所述鰭結構是所述襯底的突出部分。

9.根據權利要求8所述的垂直場效應晶體管，其特征在于，所述第二源極/漏極區設置在所述鰭結構中。

10.根據權利要求7所述的垂直場效應晶體管，其特征在于，所述第二源極/漏極區在所述柵極結構上方垂直地突出。

11.根據權利要求7所述的垂直場效應晶體管，其特征在于，所述溝道結構包括第一部分以及至少一個第二部分，所述第一部分在第一方向上延伸，所述至少一個第二部分連接到所述第一部分且在第二方向上延伸，所述第二方向與所述第一方向不同。

12.一種垂直場效應晶體管，其特征在于，包括：

第一源極/漏極區，包括在襯底中；

溝道結構，從所述襯底的所述第一源極/漏極區垂直地突出且被配置成用作溝道，所述溝道結構在平面圖中具有二維結構，所述溝道結構在所述溝道結構的至少一側處具有開口，所述溝道結構包括兩個或更多個第一部分以及至少一個第二部分，所述兩個或更多個第一部分在第一方向上延伸，所述至少一個第二部分連接所述兩個或更多個第一部分；

柵極結構，水平地環繞所述溝道結構；以及

第二源極/漏極區，位于所述溝道結構上，所述第二源極/漏極區面對所述第一源極/漏極區且所述溝道結構垂直地夾置在所述第二源極/漏極區與所述第一源極/漏極區之間。

13.根據權利要求12所述的垂直場效應晶體管，其特征在于，所述溝道結構設置在鰭結構中，所述鰭結構是所述襯底的突出部分。

14.根據權利要求13所述的垂直場效應晶體管，其特征在于，所述第二源極/漏極區設置在所述鰭結構中。