[發(fā)明專利]基于耦合電容的浮動(dòng)電平場(chǎng)效應(yīng)管或晶體管驅(qū)動(dòng)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811601147.0
• 申請(qǐng)日: 2018-12-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109787602B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-02-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡斌;李琨;孫宏杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中電科能源有限公司
• 主分類號(hào): H03K17/567
• 分類號(hào): H03K17/567;H03K17/687;H01M10/42
• 代理公司: 天津市鼎和專利商標(biāo)代理有限公司 12101
• 代理人: 李鳳

1.一種基于耦合電容的浮動(dòng)電平場(chǎng)效應(yīng)管或晶體管驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于：包括FET驅(qū)動(dòng)電路和BJT驅(qū)動(dòng)電路；其中：

所述FET驅(qū)動(dòng)電路包括n組FET、n個(gè)耦合電容和n個(gè)電阻，每組FET包括至少一個(gè)FET；針對(duì)于第i組FET：此組FET的源極處于同一電平；開(kāi)關(guān)信號(hào)端子通過(guò)耦合電容Ci與該組的每個(gè)FET的柵極連接，所述開(kāi)關(guān)信號(hào)端子的電阻Ri與FET的源極連接；i為1至n的自然數(shù)；

針對(duì)于耦合電容的選取方法為：

將第i組FET與開(kāi)關(guān)信號(hào)端子之間的耦合電容標(biāo)記為Ci；

首先從FET手冊(cè)查知耦合電容Ci對(duì)應(yīng)的FET組中每個(gè)FET的柵極和源極間電容C_GS-ij，j為1至n的自然數(shù)；

然后第i組FET對(duì)應(yīng)的耦合電容Ci滿足下式：

其中：m_i為第i組FET的數(shù)量；

針對(duì)于分壓電阻的選取方法為：

將第i組FET源極與開(kāi)關(guān)信號(hào)端子之間的電阻標(biāo)記為Ri；開(kāi)關(guān)信號(hào)的周期標(biāo)記為T_S；適應(yīng)電平的最長(zhǎng)時(shí)間標(biāo)記為T_V；T_V大于10倍T_S；電阻R_i的取值范圍為：

所述BJT驅(qū)動(dòng)電路包括n組BJT，每組BJT包括至少一個(gè)BJT；針對(duì)于第i組BJT：此組BJT的發(fā)射極處于同一電平；開(kāi)關(guān)信號(hào)端子通過(guò)耦合電容Ci’與該組的每個(gè)BJT的基極連接，所述開(kāi)關(guān)信號(hào)端子通過(guò)電阻Ri’與BJT的發(fā)射極連接；i為1至n的自然數(shù)；

針對(duì)于耦合電容的選取方法為：

將第i組BJT與開(kāi)關(guān)信號(hào)端子之間的耦合電容標(biāo)記為Ci’；

根據(jù)晶體管開(kāi)啟時(shí)第i組中第j個(gè)BJT的基極電流標(biāo)記為I_B-ij，耦合電容Ci’；開(kāi)關(guān)信號(hào)的周期為T_S'，則耦合電容Ci’取值范圍為

其中：m_i為第i組BJT的數(shù)量；

針對(duì)于分壓電阻的選取方法為：

將第i組BJT與開(kāi)關(guān)信號(hào)端子之間的分壓電阻標(biāo)記為Ri’；開(kāi)關(guān)信號(hào)的周期標(biāo)記為T_S'；適應(yīng)電平的最長(zhǎng)時(shí)間標(biāo)記為T_V'；電阻R_i'的取值范圍為：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于耦合電容的浮動(dòng)電平場(chǎng)效應(yīng)管或晶體管驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于：每個(gè)FET的源極通過(guò)穩(wěn)壓管與該FET的柵極連接；每個(gè)耦合電容Ci通過(guò)限流電阻與FET的柵極連接。