[發(fā)明專利]一種基于側(cè)拋光纖表面等離子體共振的矢量磁場傳感器及其制備與檢測方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811600803.5 | 申請(qǐng)日： | 2018-12-26 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN109541502A | 公開（公告）日： | 2019-03-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳耀飛;羅云瀚;陳哲;董江莉;蔣竹鵬;孫偉婷;盧惠輝;關(guān)賀元;張軍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 暨南大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | G01R33/032 | 分類號(hào)： | G01R33/032 |
| 代理公司： | 廣州潤禾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44446 | 代理人： | 林偉斌;凌衍芬 |
| 地址： | 510632 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 拋磨 矢量磁場 磁流體 光纖 傳感器 等離子體共振 玻璃毛細(xì)管 磁場方向 光纖表面 透射光譜 紫外膠 共振 制備 檢測 表面等離子體共振 光纖磁場傳感器 漂移 側(cè)邊拋磨光纖 標(biāo)定傳感器 光譜儀 波谷位置 傳感特性 共振光譜 金屬薄膜 密封包裹 金屬膜 透射光 折射率 包層 波谷 鍍制 纖芯 磁場 光源 記錄 制作 | ||
1.一種基于側(cè)拋光纖表面等離子體共振的矢量磁場傳感器，其特征在于，包括側(cè)邊拋磨光纖、鍍制在拋磨區(qū)上的金屬膜、用于提供入射光的光源、磁流體以及用于檢測透射光譜的光譜儀，所述側(cè)拋光纖是通過將光纖一側(cè)的包層拋除掉制作而成；所述拋磨光纖上設(shè)有玻璃毛細(xì)管以及光學(xué)紫外膠，所述磁流體通過玻璃毛細(xì)管以及光學(xué)紫外膠密封包裹在拋磨光纖周圍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于側(cè)拋光纖表面等離子體共振的矢量磁場傳感器，其特征在于，所述拋磨光纖采用拋磨雙模光纖。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于側(cè)拋光纖表面等離子體共振的矢量磁場傳感器，其特征在于，拋磨區(qū)的拋磨面到纖芯的距離d為0μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于側(cè)拋光纖表面等離子體共振的矢量磁場傳感器，其特征在于，所述拋磨區(qū)長度為9～15mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于側(cè)拋光纖表面等離子體共振的矢量磁場傳感器，其特征在于，所述金屬膜的厚度為40～60nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于側(cè)拋光纖表面等離子體共振的矢量磁場傳感器，其特征在于，所述金屬膜分為兩層，貼合在光纖包層上的為鉻膜，位于鉻膜上的為金膜。
7.一種磁流體披覆側(cè)拋光纖的磁場傳感器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、制備側(cè)邊拋磨光纖：通過拋磨把光纖的包層去掉，在光纖表面形成一定長度的平坦區(qū)域，即拋磨區(qū)；
S2、采用真空蒸鍍法將金屬膜鍍在拋磨光纖的拋磨區(qū)上；
S3、將毛細(xì)管套在拋磨光纖的拋磨區(qū)域外面，利用毛細(xì)作用將磁流體充入毛細(xì)管中，從而使磁流體包覆于光纖周圍，在毛細(xì)管兩端滴紫光膠，用紫外燈照射直至紫光膠完全凝固，將毛細(xì)管兩端密封。
8.一種采用權(quán)利要求1～7任一項(xiàng)所述的一種基于側(cè)拋光纖SPR的矢量磁場傳感器的檢測方法，其特征在于，檢測磁場方向變化時(shí)，被檢測磁場的磁場強(qiáng)度在20～300Oe之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的矢量磁場傳感器的檢測方法，其特征在于，檢測磁場強(qiáng)度時(shí)，被檢測磁場的磁場強(qiáng)度在0～400Oe之間。
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