[發(fā)明專利]一種類超晶格ZnSb/SiO2納米相變薄膜材料及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811600536.1
• 申請日: 2018-12-26
• 公開（公告）號: CN109817807A
• 公開（公告）日: 2019-05-28
• 發(fā)明（設計）人: 胡益豐;張銳;郭璇;徐永康;孫松;朱小芹;鄒華
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇理工學院
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;B82Y10/00;B82Y30/00
• 代理公司: 常州佰業(yè)騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231
• 代理人: 高姍

1.一種類超晶格ZnSb/SiO₂納米相變薄膜材料，其特征在于：其由ZnSb薄膜層和SiO₂薄膜層交替沉積復合而成，其中ZnSb薄膜層的厚度為1-10nm，SiO₂薄膜層的厚度為1-10nm，ZnSb/SiO₂納米相變薄膜材料總厚度為2-100nm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的類超晶格ZnSb/SiO₂納米相變薄膜材料，其特征在于：所述薄膜材料采用磁控濺射方法制備，襯底為SiO₂/Si基片，濺射靶材為ZnSb和SiO₂。

3.一種如權(quán)利要求1所述的類超晶格ZnSb/SiO₂納米相變薄膜材料的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

(1)清洗襯底基片；

(2)安裝濺射靶材，調(diào)節(jié)濺射氣流量、濺射氣壓及濺射功率；

(3)將空基托旋轉(zhuǎn)到ZnSb靶位，打開ZnSb靶上的射頻電源，設定濺射時間，開始對ZnSb靶材表面進行濺射，然后清潔ZnSb靶位表面；

(4)關(guān)閉ZnSb靶位上所施加的射頻電源，將空基托旋轉(zhuǎn)到SiO₂靶位，開啟SiO₂靶上的射頻電源，設定濺射時間，開始對SiO₂靶材表面進行濺射，然后清潔SiO₂靶位表面；

(5)將待濺射的基片旋轉(zhuǎn)到ZnSb靶位，打開ZnSb靶位上的射頻電源，設定濺射時間，開始濺射ZnSb薄膜層；

(6)關(guān)閉ZnSb靶上所施加的直流電源，將基片旋轉(zhuǎn)到SiO₂靶位，開啟SiO₂靶位射頻電源，設定濺射時間，開始濺射SiO₂薄膜層；

(7)重復步驟(5)-(6)，得到總厚度為2-100nm的ZnSb/SiO₂納米相變薄膜材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的類超晶格ZnSb/SiO₂納米相變薄膜材料的制備方法，其特征在于：步驟(1)中襯底基片為SiO₂/Si基片。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的類超晶格ZnSb/SiO₂納米相變薄膜材料的制備方法，其特征在于：步驟(2)中使用的濺射氣體為氬氣，流量為45-60SCCM，濺射氣壓為0.6-0.7Pa。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的類超晶格ZnSb/SiO₂納米相變薄膜材料的制備方法，其特征在于：濺射氣體流量為55SCCM，濺射氣壓為0.65Pa。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的類超晶格ZnSb/SiO₂納米相變薄膜材料的制備方法，其特征在于：本底真空度不大于3×10^-4Pa。