[發(fā)明專利]一種TFT模型參數(shù)的提取方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811600148.3
• 申請(qǐng)日: 2018-12-26
• 公開（公告）號(hào): CN109657384B
• 公開（公告）日: 2022-05-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林世佳;樊曉斌;朱能勇;黃琬琰;朱艷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南京華大九天科技有限公司
• 主分類號(hào): G06F30/398
• 分類號(hào): G06F30/398
• 代理公司: 北京德崇智捷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11467
• 代理人: 王金雙

1.一種TFT模型參數(shù)的提取方法，其特征在于，包括：

1）接收并處理測量數(shù)據(jù)，生成提取電路；

2）選擇TFT模型種類，將輸入的電流數(shù)據(jù)劃分為多個(gè)電流區(qū)域，并得到各電流區(qū)域的電流區(qū)域模型方程；

3）預(yù)定義所述測量數(shù)據(jù)和所述TFT模型的誤差計(jì)算方案；

4）基于所述電流區(qū)域模型方程和電流數(shù)據(jù)分布計(jì)算模型參數(shù)的初始值；

5）進(jìn)行模型的參數(shù)優(yōu)化，計(jì)算誤差數(shù)據(jù)和模型結(jié)果之間的關(guān)系；

6）進(jìn)行錯(cuò)誤檢查，

步驟2）所述的輸入的電流數(shù)據(jù)劃分為多個(gè)電流區(qū)域，是根據(jù)輸入的電流數(shù)據(jù)和器件電流特性，將輸入電流數(shù)據(jù)劃分為多個(gè)電流區(qū)域，電流區(qū)域包括：泄漏電流、亞閾區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT模型參數(shù)的提取方法，其特征在于，步驟1）所述的生成提取電路，是根據(jù)TFT的器件尺寸參數(shù)、工藝參數(shù)、介電常數(shù)及數(shù)據(jù)量測溫度，自動(dòng)生成提取工具可以讀取并操作的提取電路。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT模型參數(shù)的提取方法，其特征在于，步驟3）所述誤差計(jì)算方案，包括，線性均方根計(jì)算，線性平均誤差，線性最大誤差，對(duì)數(shù)均方根計(jì)算，對(duì)數(shù)平均誤差，對(duì)數(shù)最大誤差。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT模型參數(shù)的提取方法，其特征在于，所述步驟3）進(jìn)一步包括：根據(jù)各電流區(qū)域的電流分布和當(dāng)前趨勢，計(jì)算各區(qū)域電流所涉及的初始模型參數(shù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT模型參數(shù)的提取方法，其特征在于，所述步驟6）進(jìn)一步包括：

重新計(jì)算電流及電容并與原始數(shù)據(jù)進(jìn)行誤差計(jì)算；

并對(duì)模型參數(shù)優(yōu)化前后的誤差進(jìn)行比較。

6.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)指令，其特征在于，所述計(jì)算機(jī)指令運(yùn)行時(shí)執(zhí)行權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的TFT模型參數(shù)的提取方法的步驟。

7.一種終端設(shè)備，其特征在于，包括存儲(chǔ)器和處理器，所述存儲(chǔ)器上儲(chǔ)存有在所述處理器上運(yùn)行的計(jì)算機(jī)指令，所述處理器運(yùn)行所述計(jì)算機(jī)指令時(shí)執(zhí)行權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的TFT模型參數(shù)的提取方法的步驟。