[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811599371.0 | 申請日： | 2018-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN110797334B | 公開（公告）日： | 2023-10-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 松浦永悟 | 申請（專利權(quán)）人： | 鎧俠股份有限公司 |
| 主分類號： | H10B80/00 | 分類號： | H10B80/00;H01L23/31;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人： | 楊林勳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，具備：
基板，形成著電極；
第1半導(dǎo)體芯片，設(shè)置在所述基板的表面上；
導(dǎo)線，將所述第1半導(dǎo)體芯片與所述電極連接；
第2半導(dǎo)體芯片，設(shè)置在所述基板的表面上，在朝向所述基板側(cè)的面即背面具有形成著突出部的第1區(qū)域及所述第1區(qū)域以外的第2區(qū)域，所述第2區(qū)域位于所述第1半導(dǎo)體芯片或所述導(dǎo)線的至少一部分的上方；
粘接層，設(shè)置在所述第1區(qū)域與所述基板之間及所述第2區(qū)域與所述基板之間；以及
樹脂層，設(shè)置在所述基板上，且被覆所述第1及第2半導(dǎo)體芯片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述粘接層與所述第1半導(dǎo)體芯片或所述導(dǎo)線的至少一部分接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中在沿所述第1及第2半導(dǎo)體芯片的排列方向切斷的截面中，所述第2區(qū)域向從所述第2半導(dǎo)體芯片朝向所述第1半導(dǎo)體芯片的第1方向及相對于該第1方向?yàn)橄喾磦?cè)的第2方向這兩個方向延伸，
所述粘接層設(shè)置在從所述第2半導(dǎo)體芯片向所述第1方向延伸的所述第2區(qū)域與所述基板之間、以及從所述第2半導(dǎo)體芯片向所述第2方向延伸的所述第2區(qū)域與所述基板之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第2區(qū)域設(shè)置在所述第2半導(dǎo)體芯片的所述第1區(qū)域的整個外周。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中多個所述第2半導(dǎo)體芯片分開設(shè)置在所述第1半導(dǎo)體芯片的兩側(cè)，且
在多個所述第2半導(dǎo)體芯片間設(shè)置著所述樹脂層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第2半導(dǎo)體芯片具有多個所述第1區(qū)域，且遍及所述第1半導(dǎo)體芯片的上方而設(shè)置，
所述第1半導(dǎo)體芯片配置在所述多個第1區(qū)域間。
7.一種半導(dǎo)體裝置，具備：
基板，形成著電極；
第1半導(dǎo)體芯片，設(shè)置在所述基板的表面上；
導(dǎo)線，將所述第1半導(dǎo)體芯片與所述電極連接；
第2半導(dǎo)體芯片，設(shè)置在所述基板的表面上，在朝向所述基板側(cè)的面即背面具有形成著突出部的第1區(qū)域及所述第1區(qū)域以外的第2區(qū)域，所述第2區(qū)域位于所述第1半導(dǎo)體芯片或所述導(dǎo)線的至少一部分的上方；
粘接層，設(shè)置在所述第1區(qū)域與所述基板之間及所述第2區(qū)域與所述基板之間，且與所述第1半導(dǎo)體芯片或所述導(dǎo)線的至少一部分接觸；以及
樹脂層，設(shè)置在所述基板上，且被覆所述第1及第2半導(dǎo)體芯片；且
在沿所述第1及第2半導(dǎo)體芯片的排列方向切斷的截面中，所述第2區(qū)域向從所述第2半導(dǎo)體芯片朝向所述第1半導(dǎo)體芯片的第1方向及相對于該第1方向?yàn)橄喾磦?cè)的第2方向這兩個方向延伸，
多個所述第2半導(dǎo)體芯片分開設(shè)置在所述第1半導(dǎo)體芯片的兩側(cè)。
8.一種半導(dǎo)體裝置，具備：
基板，形成著電極；
第1半導(dǎo)體芯片，設(shè)置在所述基板的表面上；
導(dǎo)線，將所述第1半導(dǎo)體芯片與所述電極連接；
第2半導(dǎo)體芯片，設(shè)置在所述基板的表面上，在朝向所述基板側(cè)的面即背面具有形成著突出部的第1區(qū)域及所述第1區(qū)域以外的第2區(qū)域，所述第2區(qū)域位于所述第1半導(dǎo)體芯片或所述導(dǎo)線的至少一部分的上方；
粘接層，設(shè)置在所述第1區(qū)域與所述基板之間及所述第2區(qū)域與所述基板之間，且與所述第1半導(dǎo)體芯片或所述導(dǎo)線的至少一部分接觸；以及
樹脂層，設(shè)置在所述基板上，且至少被覆所述第2半導(dǎo)體芯片；且
在沿所述第1及第2半導(dǎo)體芯片的排列方向切斷的截面中，所述第2區(qū)域向從所述第2半導(dǎo)體芯片朝向所述第1半導(dǎo)體芯片的第1方向及相對于該第1方向?yàn)橄喾磦?cè)的第2方向這兩個方向延伸，
所述第2半導(dǎo)體芯片具有多個所述第1區(qū)域，且遍及所述第1半導(dǎo)體芯片的上方而設(shè)置，
所述第1半導(dǎo)體芯片配置在所述多個第1區(qū)域之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第2區(qū)域與所述第1區(qū)域的厚度差大于所述第1半導(dǎo)體芯片的厚度。
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