[發(fā)明專利]形成高縱橫比開口的方法、形成高縱橫比特征的方法及相關(guān)半導(dǎo)體裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811598464.1 | 申請日： | 2018-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN110021550A | 公開（公告）日： | 2019-07-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 渡嘉敷健;約翰·A·斯邁思;古爾特杰·S·桑胡 | 申請（專利權(quán)）人： | 美光科技公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人： | 王龍 |
| 地址： | 美國愛*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電介質(zhì)材料 高縱橫比 開口 堆疊 相關(guān)半導(dǎo)體裝置 縱橫比 半導(dǎo)體裝置 保護(hù)材料 垂直側(cè)壁 申請案 側(cè)壁 下移 | ||
1.一種形成高縱橫比開口的方法，其包括：
在低于約0℃的溫度下移除電介質(zhì)材料的一部分以在所述電介質(zhì)材料中形成至少一個開口，所述至少一個開口包括大于約30:1的縱橫比；及
在低于約0℃的溫度下在所述至少一個開口中及所述電介質(zhì)材料的側(cè)壁上形成保護(hù)材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中移除電介質(zhì)材料的一部分包括將所述電介質(zhì)材料暴露于蝕刻組合物，所述蝕刻組合物包括至少一種蝕刻氣體、至少一種加性氣體及至少一種保護(hù)材料前體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中將所述電介質(zhì)材料暴露于蝕刻組合物包括將所述電介質(zhì)材料暴露于包括所述蝕刻組合物的等離子體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述電介質(zhì)材料中形成所述至少一個開口包括形成包括大于約80:1的縱橫比的所述至少一個開口。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述電介質(zhì)材料中形成所述至少一個開口包括形成包括大于約90:1的縱橫比的所述至少一個開口。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述電介質(zhì)材料中形成所述至少一個開口包括形成包括大于約100:1的縱橫比的所述至少一個開口。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述至少一個開口中及所述電介質(zhì)材料的側(cè)壁上形成保護(hù)材料包括保形地形成所述保護(hù)材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述至少一個開口中及所述電介質(zhì)材料的側(cè)壁上形成保護(hù)材料包括形成包括絕緣有機(jī)聚合物、導(dǎo)電有機(jī)聚合物、含硼材料、含硫材料或金屬的所述保護(hù)材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中在所述至少一個開口中及所述電介質(zhì)材料的側(cè)壁上形成保護(hù)材料包括在存在等離子體的情況下在所述電介質(zhì)材料的所述側(cè)壁上形成所述保護(hù)材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中在所述至少一個開口中及所述電介質(zhì)材料的側(cè)壁上形成保護(hù)材料包括在不存在等離子體的情況下形成所述保護(hù)材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述至少一個開口中及所述電介質(zhì)材料的側(cè)壁上形成保護(hù)材料包括使蝕刻組合物的至少一種保護(hù)材料前體與所述電介質(zhì)材料發(fā)生反應(yīng)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述至少一個開口中及所述電介質(zhì)材料的側(cè)壁上形成保護(hù)材料包括在約-100℃與約-40℃之間形成所述保護(hù)材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在所述至少一個開口中形成特征。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在低于約0℃的溫度下移除電介質(zhì)材料的一部分及在低于約0℃的溫度下在所述至少一個開口中及所述電介質(zhì)材料的側(cè)壁上形成保護(hù)材料包括在靜電卡盤的低于約0℃的所述溫度下進(jìn)行所述移除及所述形成，包括所述電介質(zhì)材料及保護(hù)材料的襯底定位于所述靜電卡盤上。
15.一種形成HAR特征的方法，其包括：
在低于約0℃的溫度下在電介質(zhì)材料堆疊中形成開口，所述開口包括第一深度；
在低于約0℃的溫度下在所述堆疊的暴露于所述第一深度的側(cè)壁上形成保護(hù)材料；
將所述開口延伸到第二深度；
在低于約0℃的溫度下在所述堆疊的暴露于所述第二深度的側(cè)壁上形成另一保護(hù)材料；
將所述開口延伸到包括至少約30:1的縱橫比的最終深度；
在低于約0℃的溫度下在所述堆疊的暴露于所述最終深度的側(cè)壁上形成額外保護(hù)材料；及
在所述開口中形成特征。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
