[發(fā)明專利]量子點(diǎn)LED及其制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811597417.5 | 申請(qǐng)日: | 2018-12-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109742249A | 公開(公告)日: | 2019-05-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 樊勇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/50 | 分類號(hào): | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/00;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 襯底 量子點(diǎn) 發(fā)光組件 量子點(diǎn)層 藍(lán)寶石材料 一體成型的 藍(lán)寶石 使用壽命 阻隔層 底面 申請(qǐng) 制作 氧氣 保證 | ||
本申請(qǐng)?zhí)岢隽艘环N量子點(diǎn)LED及其制作方法,包括發(fā)光組件;位于所述發(fā)光組件上的第一襯底,所述第一襯底包括一第一凹槽;所述第一襯底的材料為藍(lán)寶石;位于所述第一凹槽內(nèi)的量子點(diǎn)層;位于所述量子點(diǎn)層上的阻隔層。本申請(qǐng)通過使用藍(lán)寶石材料作為一體成型的第一襯底,使得該第一襯底的底面能完全的隔絕水氧氣,保證了量子點(diǎn)LED長(zhǎng)期使用的可靠性,提高了量子點(diǎn)LED的使用壽命。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及顯示領(lǐng)域,特別涉及一種量子點(diǎn)LED及其制作方法。
背景技術(shù)
量子點(diǎn)是一種發(fā)光效率高,發(fā)光峰窄的納米材料,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于背光產(chǎn)品中。但由于量子點(diǎn)暴露在水氧環(huán)境下,熒光效率會(huì)存在不可逆的迅速下降,所以量子點(diǎn)LED的封裝需要很好的隔絕水氧。
現(xiàn)有的LED量子點(diǎn)層上下為具有阻隔膜的PET組成,結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜,阻水氧能力也較為有限,降低量子點(diǎn)LED的使用壽命。
發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N量子點(diǎn)LED及其制作方法,以解決現(xiàn)有量子點(diǎn)LED使用壽命低的技術(shù)問題。
為解決上述問題,本申請(qǐng)?zhí)峁┑募夹g(shù)方案如下:
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N量子點(diǎn)LED,其包括:
發(fā)光組件;
位于所述發(fā)光組件上的第一襯底,其中,所述第一襯底包括一第一凹槽;
位于所述第一凹槽內(nèi)的量子點(diǎn)層;
位于所述量子點(diǎn)層上的阻隔層。
在本申請(qǐng)的量子點(diǎn)LED中,
所述量子點(diǎn)層的厚度小于所述第一襯底的厚度;
所述第一襯底的材料為藍(lán)寶石。
在本申請(qǐng)的量子點(diǎn)LED中,所述發(fā)光組件包括:
第一導(dǎo)電層;
位于所述第一導(dǎo)電層上的發(fā)光層及第一電極,其中,所述發(fā)光層及所述第一電極在所述第一導(dǎo)電層遠(yuǎn)離所述第一襯底的第一表面上的正投影面位于所述第一襯底的第一表面內(nèi);
位于所述發(fā)光層上的第二導(dǎo)電層;
位于所述第二導(dǎo)電層上的第二電極;
其中,所述發(fā)光層的面積小于所述第一導(dǎo)電層的面積。
在本申請(qǐng)的量子點(diǎn)LED中,
當(dāng)所述發(fā)光組件發(fā)出藍(lán)光時(shí),所述量子點(diǎn)層包括紅色量子點(diǎn)和綠色量子點(diǎn);
當(dāng)所述發(fā)光組件發(fā)出紫外光時(shí),所述量子點(diǎn)層包括紅色量子點(diǎn)、綠色量子點(diǎn)及藍(lán)色量子點(diǎn)。
在本申請(qǐng)的量子點(diǎn)LED中,
所述阻隔層包括至少一有機(jī)層和至少一無機(jī)層;
所述無機(jī)層的材料為氧化硅、氧化鋁、氮化硅或氮化硅中一種或一種以上的組合。
本申請(qǐng)還提出了一種量子點(diǎn)LED的制作方法,其包括:
提供一發(fā)光組件;
在所述發(fā)光組件上形成一第一襯底,使用第一蝕刻工藝在所述第一襯底上形成一第一凹槽;
在所述第一凹槽內(nèi)形成量子點(diǎn)層;
在所述量子點(diǎn)層上形成阻隔層。
在本申請(qǐng)的制作方法中,
所述量子點(diǎn)層的厚度小于所述第一襯底的厚度;
所述第一襯底的材料為藍(lán)寶石。
在本申請(qǐng)的制作方法中,
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
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