[發明專利]真空鍍膜裝置

有效

• 申請號: 201811595488.1
• 申請日: 2018-12-25
• 公開（公告）號: CN109468611B
• 公開（公告）日: 2019-10-25
• 發明（設計）人: 趙斌
• 申請（專利權）人: 東莞市一粒米薄膜科技有限公司
• 主分類號: C23C14/56
• 分類號: C23C14/56
• 代理公司: 深圳中細軟知識產權代理有限公司 44528
• 代理人: 仉玉新

1.一種真空鍍膜裝置，其特征在于，包括：第一真空腔室排、第二真空腔室排、第一轉移機構、第二轉移機構、第一驅動機構、第二驅動機構及基片架，所述第一轉移機構、所述第一真空腔室排、所述第二轉移機構及所述第二真空腔室排順次排布以形成循環，所述第一真空腔室排及所述第二真空腔室排均位于所述第一轉移機構與所述第二轉移機構之間，由所述第一轉移機構至所述第二轉移機構的方向為第一方向，由所述第二轉移機構至所述第一轉移機構的方向為第二方向；所述基片架的相對兩側均用于裝載基片，所述第一驅動機構用于驅動所述基片架沿所述第一方向穿過所述第一真空腔室排，以使裝載于所述基片架的第一側的所述基片完成真空脫氣鍍膜；所述第二轉移機構用于將所述基片架由所述第一真空腔室排轉移至所述第二真空腔室排，以使所述基片架經由所述第二驅動機構帶動沿所述第二方向穿過所述第二真空腔室排，從而以使裝載于所述基片架的第二側的所述基片完成真空脫氣鍍膜；所述第一轉移機構用于將相對兩側重新裝載有所述基片的所述基片架由所述第二真空腔室排轉移至所述第一真空腔室排；

所述第一真空腔室排包括沿所述第一方向順次排布的第一緩沖真空室、第一真空鍍膜室及第二緩沖真空室，所述第二真空腔室排包括沿所述第二方向順次排布的第三緩沖真空室、第二真空鍍膜室及第四緩沖真空室；

所述第一緩沖真空室包括沿所述第一方向順次排布且真空度逐漸增大的進口真空室、進口真空鎖定室及進口真空過渡室，所述第四緩沖真空室包括沿所述第二方向順次排布且真空度逐漸減小的出口真空過渡室、出口真空鎖定室及出口真空室；

所述進口真空室與所述出口真空室并排且對齊設置，所述進口真空鎖定室與所述出口真空鎖定室并排且對齊設置，所述進口真空過渡室與所述出口真空過渡室并排且對齊設置，所述第一真空鍍膜室與所述第二真空鍍膜室并排且對齊設置，所述第二緩沖真空室與所述第三緩沖真空室并排且對齊設置。

2.根據權利要求1所述的真空鍍膜裝置，其特征在于，還包括第一箱體、第二箱體、第三箱體、第四箱體、第五箱體、第一隔板、第二隔板、第三隔板、第四隔板及第五隔板，所述第一箱體、所述第二箱體、所述第三箱體、所述第四箱體及第五箱體沿所述第一方向順次排布；所述第一隔板將所述第一箱體分割成所述進口真空室與所述出口真空室；所述第二隔板將所述第二箱體分割成所述進口真空鎖定室與所述出口真空鎖定室；所述第三隔板將所述第三箱體分割成所述進口真空過渡室與所述出口真空過渡室；所述第四隔板將所述第四箱體分割成所述第一真空鍍膜室與所述第二真空鍍膜室；所述第五隔板將所述第五箱體分割成所述第二緩沖真空室與所述第三緩沖真空室。

3.根據權利要求1所述的真空鍍膜裝置，其特征在于，所述第一真空鍍膜室內設有第一鍍膜靶，所述第一鍍膜靶用于向沿所述第一方向經過所述第一鍍膜靶并裝載于所述基片架的第一側的所述基片濺射沉積膜層。

4.根據權利要求3所述的真空鍍膜裝置，其特征在于，當基片架沿所述第一方向經過所述第一鍍膜靶時，所述基片架的第一側朝向所述第一鍍膜靶，且所述基片架的第二側背離所述第一鍍膜靶。

5.根據權利要求1所述的真空鍍膜裝置，其特征在于，所述第二真空鍍膜室內設有第二鍍膜靶，所述第二鍍膜靶用于向沿所述第二方向經過所述第二鍍膜靶并裝載于所述基片架的第二側的所述基片濺射沉積膜層。

6.根據權利要求5所述的真空鍍膜裝置，其特征在于，當所述基片架沿所述第二方向經過所述第二鍍膜靶時，所述基片架的第一側背離所述第二鍍膜靶，且所述基片架的第二側朝向所述第二鍍膜靶。

7.根據權利要求1所述的真空鍍膜裝置，其特征在于，所述第一轉移機構包括第一移載臺和用于與所述基片架相配合的第一傳動組件，所述第一傳動組件與所述第一移載臺連接，所述第一移載臺能夠通過所述第一傳動組件帶動所述基片架沿第三方向及第四方向移動，所述第一傳動組件能夠帶動所述基片架沿所述第一方向移動，所述第三方向為由所述第二真空腔室至所述第一真空腔室排的方向，所述第四方向為由所述第二真空腔室至所述第一真空腔室排的方向。