[發明專利]一種電位轉換電路及系統低速背板模塊在審
| 申請號： | 201811595279.7 | 申請日： | 2018-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN109713900A | 公開（公告）日： | 2019-05-03 |
| 發明（設計）人： | 楊子慶 | 申請（專利權）人： | 廣東浪潮大數據研究有限公司 |
| 主分類號： | H02M3/158 | 分類號： | H02M3/158 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 羅滿 |
| 地址： | 510620 廣東省廣州市天河區*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電位轉換電路 第一端 控制端 中斷 輸出端 反相器輸出端 輸入端連接 背板模塊 電流通路 功率消耗 低電位 電壓源 高電位 輸入端 關斷 輸出 轉換 申請 | ||
1.一種電位轉換電路，其特征在于，包括第一反相器、第一P-MOS管、第二P-MOS管、第一N-MOS管、第二N-MOS管和中斷P-MOS管，其中：
所述第一P-MOS管的第一端和第二P-MOS管的第一端均連接于第一電壓源，所述第一P-MOS管的第二端和控制端、所述第二P-MOS管的控制端、所述中斷P-MOS管的第一端均連接于同一點，所述中斷P-MOS管的第二端和控制端分別連接所述第一N-MOS管的第一端和所述電位轉換電路的輸出端，所述第一N-MOS管的控制端與所述電位轉換電路的輸入端、所述第一反相器的輸入端均連接，所述第二N-MOS管的控制端與所述第一反相器的輸出端連接，所述第二N-MOS管的第一端分別與所述電位轉換電路的輸出端、所述第二P-MOS管的第二端均連接，所述第一N-MOS管的第二端和所述第二N-MOS管的第二端均接地。
2.根據權利要求1所述電位轉換電路，其特征在于，
當所述電位轉換電路的輸出端為高電位，所述中斷P-MOS管處于關斷狀態。
3.根據權利要求2所述電位轉換電路，其特征在于，所述第一反相器具體包括第一反相P-MOS管和第一反相N-MOS管，其中：
所述第一反相N-MOS管的控制端和所述第一反相P-MOS管的控制端連接并作為所述第一反相器的輸入端；
所述第一反相P-MOS管的第一端連接第二電壓源；
所述第一反相P-MOS管的第二端和所述第一反相N-MOS管的第一端連接并作為所述第一反相器的輸出端；
所述第一反相N-MOS管的第二端連接所述第三電壓源；
所述第三電壓源的電位低于所述第二電壓源。
4.根據權利要求1至3任一項所述電位轉換電路，其特征在于，
所述第二N-MOS管的第一端依次通過第二反相器和第三反相器與所述電位轉換電路的輸出端連接。
5.根據權利要求4所述電位轉換電路，其特征在于，所述電位轉換電路的輸入端限制電壓為3.3V電壓。
6.根據權利要求5所述電位轉換電路，其特征在于，所述電位轉換電路的輸出端限制電壓為1.8V電壓。
7.一種系統低速背板模塊，其特征在于，包括如權利要求1至6任一項所述電位轉換電路。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于廣東浪潮大數據研究有限公司，未經廣東浪潮大數據研究有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811595279.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
