[發明專利]一種系統數據處理的方法以及裝置

有效

• 申請號: 201811594311.X
• 申請日: 2018-12-25
• 公開（公告）號: CN111367460B
• 公開（公告）日: 2023-05-09
• 發明（設計）人: 莊開鋒
• 申請（專利權）人: 兆易創新科技集團股份有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

本發明一種系統數據處理的方法以及裝置，所述方法應用于非易失存儲器，所述非易失存儲器中存儲系統數據的存儲塊包括：SLC?Block以及TLC?Block，所述方法包括：接收上位機發送的系統數據寫入指令，根據所述系統數據寫入指令，將所述系統數據寫入所述SLC?Block，若所述空閑的存儲塊數量小于第一預設值，所述已寫入系統數據的SLC?Block中，有兩個及以上的SLC?Block含有無效數據，且所述已寫入系統數據的TLC?Block數量沒有達到第二預設值，將含有無效數據的SLC?Block進行合并，消除SLC?Block中的無效數據后的SLC?Block可以重新寫入數據。本發明提供的一種系統數據處理的方法以及裝置，通過重新設計了垃圾回收機制，使得數據可以優先寫入SLC?Block，使得非易失存儲器的系統數據讀寫速度比寫入TLC?Block更快。

技術領域

本發明涉及非易失存儲器領域，特別是一種系統數據處理的方法以及裝置。

背景技術

垃圾回收機制是指在非易失存儲器使用時，如果不進行垃圾回收，非易失存儲器的數據存儲塊遲早都會被消耗空，因為我們在不斷的分配存儲空間而不進行回收，除非存儲空間無限大，我們可以任性的分配而不回收，但是事實并非如此，所以，垃圾回收是必須的。

現有的非易失存儲器系統數據存儲塊包括SLC?Block以及TLC?Block，其中TLCBlock是由TLC(Triple-Level?Cell)三層式存儲單元構成的，SLC?Block是由SLC(Single-Level?Cell)單層式存儲單元構成的，SLC原理是在1個存儲器儲存單元(cell)中存放1位元(bit)的數據，SLC技術特點是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄，在寫入數據時通過對浮置閘極的電荷加電壓，然后透過源極，即可將所儲存的電荷消除，通過這樣的方式，便可儲存1個信息單元，這種技術能提供快速的進行數據寫入與讀取，而TLC形式的1個儲存單元可存放3位元(bit)的數據，為了區分，必須使用不同電壓來實現。TLC除了能夠實現和SLC一樣的000(TLC)＝0(SLC)和111(TLC)＝1(SLC)外，還有另外六種數據格式必須采用其他不同的電壓來區分，讓不同數量的電子進入到存儲單元，實現不同的數據表達，這樣，才能讓TLC實現單位存儲單元存放比SLC更多數據，由于數據寫入到TLC中需要八種不同電壓狀態，而施加不同的電壓狀態，尤其是相對較高的電壓，需要更長的時間才能得以實現所以，在TLC中數據訪問所需時間更長，因此傳輸速度更慢。并且因為所元器件自身原因，損耗比較大，相應的使用壽命就要短一些，所以TLC?Block要比SLC?Block在速度和性能上差很多，在做初期的出廠測試過程中會產生很多問題，基于以上考慮，需要要求非易失存儲器數據優先寫入SLC?Block。

但現有非易失存儲器垃圾回收機制的方案設計，適用于數據優先寫入TLC?Block的情況，而不適用于數據優先寫入SLC?Block的情況，使得現有非易失存儲器只能將數據優先寫入TLC?Block。

發明內容

鑒于上述問題，本發明提供一種數據寫入的方法、裝置以及非易失存儲器，解決了現有技術中非易失存儲器非易失存儲器只能將數據優先寫入TLC?Block的問題。

本發明實施例提供了一種系統數據處理的方法，所述方法應用于非易失存儲器，所述非易失存儲器中存儲系統數據的存儲塊包括：SLC?Block以及TLC?Block，所述方法包括：

接收上位機發送的系統數據寫入指令；

根據所述系統數據寫入指令，將所述系統數據寫入所述SLC?Block；

檢測所述非易失存儲器中空閑的存儲塊數量是否小于第一預設值；

檢測已寫入系統數據的SLC?Block中，是否有兩個及以上的SLC?Block含有無效數據；

檢測已寫入系統數據的TLC?Block數量是否達到第二預設值；