[發明專利]一種閾值電壓分布預測方法及裝置有效
| 申請號： | 201811593345.7 | 申請日： | 2018-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN109859792B | 公開（公告）日： | 2021-05-04 |
| 發明（設計）人： | 杜剛;王坤亮;劉曉彥 | 申請（專利權）人： | 北京大學 |
| 主分類號： | G11C16/34 | 分類號： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京辰權知識產權代理有限公司 11619 | 代理人： | 劉廣達 |
| 地址： | 100871*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 閾值 電壓 分布 預測 方法 裝置 | ||
1.一種閾值電壓分布預測方法，其特征在于，所述方法包括：
對固態硬盤進行遞增階躍脈沖編程，統計擦除單元數、每個編程態對應的初始單元數及初始閾值電壓分布信息；
為每個所述編程態分配感知電壓；
保持一定時長，根據所述擦除單元數、所述每個編程態對應的所述初始單元數及所述感知電壓，分別獲取所述每個編程態對應的感知單元數；
根據保持噪聲模型、所述每個編程態對應的所述感知單元數及所述初始閾值電壓分布信息，分別確定所述每個編程態對應的保持閾值電壓分布信息；其中，所述根據保持噪聲模型、所述每個編程態對應的所述感知單元數及所述初始閾值電壓分布信息，分別確定所述每個編程態對應的保持閾值電壓分布信息，包括：
根據保持噪聲模型及第一編程態的所述感知單元數及所述初始閾值電壓分布信息，獲取所述第一編程態對應的分布擴展程度及平均損失電子數目，所述第一編程態為所述每個編程態中的任一編程態；
根據所述第一編程態對應的所述分布擴展程度、所述平均損失電子數目及所述初始閾值電壓分布信息，確定所述第一編程態對應的保持閾值電壓分布信息；其中，所述根據所述第一編程態對應的所述分布擴展程度、所述平均損失電子數目及所述初始閾值電壓分布信息，確定所述第一編程態對應的保持閾值電壓分布信息，包括：
通過隨機數將所述第一編程態對應的所述分布擴展程度及所述平均損失電子數目添加在所述第一編程態對應的所述初始閾值電壓分布信息上，對每個存儲單元隨機分布一定電子數目，通過公式(1)分別計算所述每個存儲單元的閾值電壓退化量；
根據所述每個存儲單元的初始閾值電壓與所述閾值電壓退化量，計算所述每個存儲單元退化后的閾值電壓；
統計每個退化后的所述閾值電壓對應的存儲單元個數，得到所述第一編程態對應的保持閾值電壓分布信息；
ΔVth＝-q·n/CPP…(1)
在公式(1)中，ΔVth為閾值電壓退化量，q為電子電荷量，n為電子數目，CPP為控制柵到氮化層的耦合電容；
其中，所述保持噪聲模型至少包含EEES、ENF以及DPF，最終分布擴展程度為三者疊加，即：
在公式(3)中，為分布擴展程度，為電子本征波動量，為電荷數目波動量，為器件參數波動量；其中，將及代入上述公式(3)即可得到如下公式(4)所示的保持噪聲模型：
在公式(4)中，為平均損失電子數，為電子數目的均值，為初始的電子數目的方差，w為器件參數波動校準參數。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，根據保持噪聲模型及第一編程態的所述感知單元數及所述初始閾值電壓分布信息，獲取所述第一編程態對應的分布擴展程度及平均損失電子數目，包括：
根據保持噪聲模型及所述第一編程態的所述初始閾值電壓分布信息，生成電子損失數據表，所述電子損失數據表包括平均損失電子數與感知單元數的對應關系；
根據第一編程態對應的感知單元數，從所述電子損失數據表中獲取對應的平均損失電子數；
根據獲取的所述平均損失電子數及所述保持噪聲模型，計算所述第一編程態對應的分布擴展程度。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，根據所述擦除單元數、所述每個編程態對應的所述初始單元數及所述感知電壓，分別獲取所述每個編程態對應的感知單元數，包括：
通過第一編程態對應的所述感知電壓進行電壓感知，統計感知單元總數，所述第一編程態為所述每個編程態中的任一編程態；
根據所述感知單元總數、所述擦除單元數及所述每個編程態對應的初始單元數，計算所述第一編程態對應的感知單元數。
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