[發明專利]硅片表面金屬化界面的復合電流密度測試方法及測試網版

在審

• 申請號: 201811592814.3
• 申請日: 2018-12-25
• 公開（公告）號: CN109714000A
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發明（設計）人: 李碩;陳瑤
• 申請（專利權）人: 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯陽光電力集團有限公司
• 主分類號: H02S50/10
• 分類號: H02S50/10
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊金

1.一種硅片表面金屬化界面的復合電流密度測試方法，其特征在于：

選取硅片，所述硅片區分為第一部分與第二部分，在第二部分的一側表面進行金屬化；

清洗硅片，去除表面金屬相并使得硅片表面的金屬化界面向外暴露，分別測試得到第一部分的復合電流密度J0_test1及第二部分的復合電流密度J0_test2，得算式如下：

J0_test1＝J0_s1+J0_s2

其中，J0_s1、J0_s2分別為第一部分兩側表面的復合電流密度，其中，J0_s1＝J0_test1/n，n＞1；

J0_test2＝f_metal*J0_me-Si+(1-f_metal)*J0_s1+J0_s2

其中，J0_me-Si為第二部分表面金屬化界面的復合電流密度，f_metal為第二部分一側表面的金屬化面積占比，將前述J0_s1、J0_s2分代入上式即可得到硅片表面金屬化界面的復合電流密度J0_me-Si。

2.根據權利要求1所述的測試方法，其特征在于：所述金屬化步驟是指在所述第二部分的一側表面印刷漿料，再燒結制得具有既定圖案的柵線。

3.根據權利要求2所述的測試方法，其特征在于：所述柵線的寬度設置為5～300μm，相鄰所述柵線的間距設置為0.5～5mm。

4.根據權利要求1所述的測試方法，其特征在于：所述測試方法還包括對所選取的硅片進行鈍化，所述鈍化步驟包括在硅片兩側表面分別制備正表面膜與背表面膜。

5.根據權利要求4所述的測試方法，其特征在于：所述正表面膜包括貼近所述硅片表面的正面鈍化膜；所述背表面膜包括貼近所述硅片表面的背面鈍化膜，所述正面鈍化膜與背面鈍化膜兩者的膜層結構相一致，則有J0_s1＝J0_s2＝J0_test1/2。

6.根據權利要求4所述的測試方法，其特征在于：所述正表面膜與背表面膜均包括層疊設置的AlO_x膜層與SiN_x膜層，且所述SiN_x膜層位于AlO_x膜層背離硅片的一側。

7.根據權利要求4所述的測試方法，其特征在于：所述測試方法還包括在第二部分的一側表面利用激光開槽，得到若干間隔排布且貫穿所述正表面膜或背表面膜的窗口；在所述窗口位置定位印刷漿料、燒結得到相應的柵線。

8.根據權利要求7所述的測試方法，其特征在于：所述窗口的寬度介于15～200μm，且相鄰所述窗口的間距設置為0.3～5mm。

9.根據權利要求7所述的測試方法，其特征在于：若干所述窗口平行間隔設置且相鄰所述窗口的間距為900μm，所述窗口的寬度設置為30μm。

10.根據權利要求7所述的測試方法，其特征在于：所述激光開槽步驟包括在硅片的一側表面開設至少三個呈非線性排布的定位點。

11.根據權利要求1所述的測試方法，其特征在于：所述硅片的電阻率設置為不小于10Ω·cm。

12.根據權利要求1所述的測試方法，其特征在于：所述第一部分與第二部分相鄰分布且沿所述硅片的中心線對稱設置。