[發明專利]一種用于太陽能廢芯片回收處理的反應裝置及方法

在審

• 申請號: 201811592555.4
• 申請日: 2018-12-25
• 公開（公告）號: CN111359563A
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發明（設計）人: 孫剛;李勝春;劉凱華
• 申請（專利權）人: 漢能新材料科技有限公司
• 主分類號: B01J19/10
• 分類號: B01J19/10
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 李蒙蒙;龍洪

一種用于太陽能廢芯片回收處理的反應裝置及方法，涉及太陽能電池技術領域，所述反應裝置包括反應腔體和吸附裝置，所述反應腔體用于在其內部進行所述太陽能廢芯片與處理液的反應，所述吸附裝置能夠將所述太陽能廢芯片的基底吸附在所述反應腔體的內壁上；所述吸附裝置設于所述反應腔體的外壁上和/或其周圍。本申請實施例的反應裝置，其通過設置吸附裝置能夠將所述太陽能廢芯片的基底吸附在所述反應腔體的內壁上，如此，在太陽能廢芯片的有機膜脫離過程中，可強化太陽能廢芯片的基底與有機膜兩者的分離，加快兩者的分離過程。

技術領域

本申請涉及太陽能電池技術領域，具體涉及一種用于太陽能廢芯片回收處理的反應裝置及方法。

背景技術

隨著太陽能電池行業的迅速發展，太陽能組件的總產量也快速提升，然而，隨著太陽能電池使用年限的增加，依照太陽能光伏組件的使用壽命推斷，在不遠的將來，將會有大量的光伏組件報廢，且在太陽能組件的生產過程中，也會有不良品出現。因此，太陽能組件回收的問題被提上了議程。

薄膜太陽能組件中通常會用到硅或銦、鎵、鎘、鈦等金屬，這些金屬有的價格昂貴，有的在太陽能組件報廢后如不合理回收則會給環境帶來極大污染。薄膜太陽能廢芯片的回收利用有鍛燒法和深冷處理的方法。鍛燒法，即高溫鍛燒整個光伏組件，對剩下的不可燃部分進行回收處理。但是高溫煅燒法能耗高，而且光伏片中含氟、硒等元素，焚燒后會產生有毒氣體，嚴重污染環境。深冷處理的方法需要液氮，該法成本高且不易實現，深冷后的光伏片還需要人工敲擊等措施脫膜，不適合產業化。因此，薄膜太陽能廢芯片的回收方法及其配套裝備是目前亟待解決的一個難題。

發明內容

本申請的一實施例提供了一種用于太陽能廢芯片回收處理的反應裝置，包括反應腔體和吸附裝置，所述反應腔體用于在其內部進行所述太陽能廢芯片與處理液的反應，所述吸附裝置能夠將所述太陽能廢芯片的基底吸附在所述反應腔體的內壁上；所述吸附裝置設于所述反應腔體的外壁上和/或其周圍。

本申請的另一實施例提供了一種太陽能廢芯片的回收處理方法，所述太陽能廢芯片包括基底和設于所述基底上的有機膜和活性層，所述回收處理方法包括：將所述太陽能廢芯片置于第一處理液中，使所述太陽能廢芯片的所述有機膜脫離；將所述有機膜脫離后的太陽能廢芯片置于第二處理液中，使所述太陽能廢芯片的所述活性層從所述基底上脫離；采用吸附裝置吸附所述太陽能廢芯片的基底。

有益效果：

本申請實施例的用于太陽能廢芯片回收處理的反應裝置，其通過設置吸附裝置能夠將所述太陽能廢芯片的基底吸附在所述反應腔體的內壁上，如此，在太陽能廢芯片的有機膜脫離過程中，可強化太陽能廢芯片的基底與有機膜兩者的分離，加快兩者的分離過程。

本申請實施例的太陽能廢芯片的回收處理方法，其在太陽能廢芯片的有機膜脫離過程中，可以通過采用吸附裝置吸附所述太陽能廢芯片的基底，可強化太陽能廢芯片的基底與有機膜兩者的分離，加快兩者的分離過程。

附圖說明

附圖用來提供對本申請技術方案的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與本申請的實施例一起用于解釋本申請的技術方案，并不構成對本申請技術方案的限制。

圖1為本申請一實施例的用于太陽能廢芯片回收處理的反應裝置的結構示意圖；

圖2為本申請一實施例的太陽能廢芯片的回收處理方法的流程圖；

附圖標記為：1、第一儲罐，2、第一輸送泵，3、擋板，4、氣孔，5、上蓋，6、超聲裝置，7、超聲波振動棒，8、內膽，9、殼體，10、第二進液口，11、第二輸送泵，12、第二儲罐，13、數顯控制盒，14、吸附裝置，15、驅動裝置，16、出液口，17、第一進液口，18、反應腔體。

具體實施方式