[發明專利]用于TEM薄片制備的樣品取向的方法有效
| 申請號: | 201811591747.3 | 申請日: | 2018-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN110021513B | 公開(公告)日: | 2023-07-28 |
| 發明(設計)人: | T.維斯塔維勒;L.斯特拉克斯;A.普羅科瑟瓦;J.萬哈拉;J.斯特拉瑞克 | 申請(專利權)人: | FEI公司 |
| 主分類號: | H01J37/26 | 分類號: | H01J37/26;H01J37/244;G01N1/28 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 劉書航;申屠偉進 |
| 地址: | 美國俄*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 tem 薄片 制備 樣品 取向 方法 | ||
1.一種用于TEM薄片制備的樣品取向的方法,其包含:
以多個入射角將帶電粒子束引導到襯底上,并檢測從所述襯底返回的所述帶電粒子束的部分;和
基于所述帶電粒子束的所述檢測部分和所述多個角,使所述襯底相對于離子束軸對準,
其中所述帶電粒子束是電子束,所述電子束的所述檢測部分是反向散射部分,并且所述方法還包含基于所述檢測部分來產生電子溝道圖案,并且基于所述電子溝道圖案來對準所述襯底。
2.根據權利要求1所述的方法,其中通過向所述襯底施加傾斜使所述襯底與所述離子束軸對準。
3.根據權利要求1所述的方法,其中通過調整所述離子束軸使所述襯底與所述離子束軸對準。
4.根據權利要求1所述的方法,其中通過向所述襯底施加傾斜和調整所述離子束軸使所述襯底與所述離子束軸對準。
5.根據權利要求1所述的方法,其中使所述襯底相對于所述離子束軸對準,使得面向所述離子束軸的襯底表面垂直于所述離子束軸。
6.根據權利要求1所述的方法,其中基于所述電子溝道圖案中的最大值或最小值來對準所述襯底。
7.根據權利要求6所述的方法,其中所述襯底被固定到傾斜臺,并且通過用所述傾斜臺改變襯底傾斜,以所述多個入射角將所述帶電粒子束引導到所述襯底。
8.根據權利要求6所述的方法,其中通過改變所述帶電粒子束的軸,以所述多個入射角將所述帶電粒子束引導到所述襯底。
9.根據權利要求1所述的方法,其還包含對所述對準的襯底進行離子束銑削。
10.一種帶電粒子束(CPB)設備,其包含:
傾斜臺;
樣本支架,其連接到所述傾斜臺并且經過定位以固定樣本;
帶電粒子束(CPB)源,其經過定位以將帶電粒子束引導到所述樣本;
CPB檢測器,其經過定位以接收從所述樣本反向散射的所述CPB的部分;
控制器,其連接到所述傾斜臺或所述CPB源中的至少一個,以便改變所述CPB相對于所述樣本的入射角,并且基于與所述入射角相關的所述CPB的所述反向散射部分來確定所述樣本的傾斜;以及
離子束源,其中所述控制器還被配置為基于所述確定的樣本傾斜來調整離子束軸和樣本傾斜中的至少一個;
其中所述CPB是電子束并且所述CPB的所述檢測部分由所述控制器處理以產生電子溝道圖案,并且基于所述電子溝道圖案確定所述樣本的所述傾斜。
11.根據權利要求10所述的設備,其中所述離子束源包括離子束偏轉器,其中基于所述離子束的束偏轉來調整相對于所述離子束的所述樣本傾斜。
12.根據權利要求10所述的設備,其中所述控制器連接到所述傾斜臺以對準待用以垂直于所述離子束軸的襯底表面。
13.根據權利要求12所述的設備,其中所述控制器連接到所述傾斜臺以改變圍繞兩個正交軸的樣本傾斜,并且接收與所述電子束的所述相應的反向散射部分相關的信號。
14.根據權利要求13所述的設備,其中所述離子束源是聚焦離子束源。
15.根據權利要求14所述的設備,其中所述控制器基于由所述CPB的所述反向散射部分產生的電子溝道圖案來確定所述樣本的所述傾斜。
16.根據權利要求15所述的設備,其中所述控制器基于隨圍繞單軸的傾斜角而變化的所述電子溝道圖案的一部分確定所述樣本的所述傾斜。
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