[發(fā)明專利]多層陶瓷電容器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811590018.6
• 申請日: 2018-12-25
• 公開（公告）號: CN110828170B
• 公開（公告）日: 2023-02-28
• 發(fā)明（設計）人: 樸今珍;南光熙;鄭永彬;李明佑;金鍾翰
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/12
• 分類號: H01G4/12;H01G4/30
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 金光軍;劉奕晴

1.一種多層陶瓷電容器，包括：

陶瓷主體，包括包含Ti的介電層以及設置為彼此面對的第一內電極和第二內電極，并且所述介電層介于所述第一內電極和所述第二內電極之間；以及

第一外電極和第二外電極，設置在所述陶瓷主體的外表面上并分別電連接到所述第一內電極和所述第二內電極，

其中，所述介電層包括介電晶粒，所述介電晶粒中的至少兩個介電晶粒之間存在晶界，并且

其中，所述介電層包括：

第一輔助成分，包含含有Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu和Zn中的至少一種的氧化物或碳酸鹽，基于包含在所述介電層中的100mol％的Ti，所述第一輔助成分的含量為0.05mol％至2.0mol％；

第二輔助成分，包含含有Mg的氧化物或碳酸鹽，基于包含在所述介電層中的100mol％的Ti，所述第二輔助成分的含量為0.0mol％至2.0mol％；

第三輔助成分，包含含有Y、Dy、Ho、Er、Gd、Ce、Nd、Pm、Eu、Tb、Tm、Yb、Lu和Sm中的至少一種的氧化物或碳酸鹽，基于包含在所述介電層中的100mol％的Ti，所述第三輔助成分的含量為0.0mol％至4.0mol％；

第四輔助成分，包含含有Ba的氧化物或碳酸鹽，基于包含在所述介電層中的100mol％的Ti，所述第四輔助成分的含量為0.0mol％至4.15mol％；

第五輔助成分，包含含有Ca和Zr中的至少一種的氧化物或碳酸鹽，基于包含在所述介電層中的100mol％的Ti，所述第五輔助成分的含量為0.0mol％至20.0mol％；以及

第六輔助成分，包含含有Si和Al中的至少一種的氧化物或含有Si的玻璃化合物，基于包含在所述介電層中的100mol％的Ti，所述第六輔助成分的含量為0.0mol％至4.0mol％，

其中，所述晶界中的Si/Ti摩爾比滿足15％至40％，并且

其中，所述第一內電極的厚度和所述第二內電極的厚度為0.4μm或更小。

2.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述晶界的厚度為0.2nm至5nm。

3.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述晶界的厚度為1.5nm至5nm。

4.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述介電層的厚度為0.4μm或更小。

5.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述介電晶粒具有核-殼結構。

6.根據權利要求5所述的多層陶瓷電容器，其中，在所述介電晶粒中，Si/Ti摩爾比從所述核朝向所述殼和所述晶界增加。

7.根據權利要求5所述的多層陶瓷電容器，其中，所述核中的Si/Ti摩爾比小于1％。

8.根據權利要求5所述的多層陶瓷電容器，其中，所述殼中的Si/Ti摩爾比小于5％且大于1％。

9.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述陶瓷主體包括：有效部分以及分別設置在所述有效部分的上部和下部上的覆蓋部分，所述有效部分包括設置成彼此面對的所述第一內電極和所述第二內電極以及介于所述第一內電極和所述第二內電極之間的所述介電層。

10.根據權利要求9所述的多層陶瓷電容器，其中，包括在所述覆蓋部分中的所述介電層中的所述介電晶粒的所述晶界的Si/Ti摩爾比高于包括在所述有效部分中的所述介電層中的所述介電晶粒的所述晶界的Si/Ti摩爾比。

11.根據權利要求9所述的多層陶瓷電容器，其中，包括在所述覆蓋部分中的所述介電層中的所述介電晶粒的所述晶界的Si/Ti摩爾比為15％至50％。

12.一種多層陶瓷電容器，包括：

陶瓷主體，包括包含Ti的介電層以及設置為彼此面對的第一內電極和第二內電極，并且所述介電層介于所述第一內電極和所述第二內電極之間；以及

第一外電極和第二外電極，設置在所述陶瓷主體的外表面上并分別電連接到所述第一內電極和所述第二內電極，

其中，所述介電層包括介電晶粒，所述介電晶粒中的至少兩個介電晶粒之間存在晶界，并且

其中，所述介電層包括：

第一輔助成分，包含含有Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu和Zn中的至少一種的氧化物或碳酸鹽，基于包含在所述介電層中的100mol％的Ti，所述第一輔助成分的含量為0.05mol％至2.0mol％；

第二輔助成分，包含含有Mg的氧化物或碳酸鹽，基于包含在所述介電層中的100mol％的Ti，所述第二輔助成分的含量為0.0mol％至2.0mol％；

第三輔助成分，包含含有Y、Dy、Ho、Er、Gd、Ce、Nd、Pm、Eu、Tb、Tm、Yb、Lu和Sm中的至少一種的氧化物或碳酸鹽，基于包含在所述介電層中的100mol％的Ti，所述第三輔助成分的含量為0.0mol％至4.0mol％；

第四輔助成分，包含含有Ba的氧化物或碳酸鹽，基于包含在所述介電層中的100mol％的Ti，所述第四輔助成分的含量為0.0mol％至4.15mol％；

第五輔助成分，包含含有Ca和Zr中的至少一種的氧化物或碳酸鹽，基于包含在所述介電層中的100mol％的Ti，所述第五輔助成分的含量為0.0mol％至20.0mol％；以及

第六輔助成分，包含含有Si和Al中的至少一種的氧化物或含有Si的玻璃化合物，基于包含在所述介電層中的100mol％的Ti，所述第六輔助成分的含量為0.0mol％至4.0mol％，

其中，所述晶界中的Si/Ti摩爾比滿足15％至40％，并且

其中，所述介電層的厚度為0.4μm或更小。