[發(fā)明專利]顯示面板及顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811589618.0
• 申請(qǐng)日: 2018-12-25
• 公開（公告）號(hào): CN109459901B
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樂琴;曹兆鏗;胡天慶;馬揚(yáng)昭
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢天馬微電子有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1368
• 分類號(hào): G02F1/1368;G02F1/1362
• 代理公司: 北京晟睿智杰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11603
• 代理人: 于淼

1.一種顯示面板，其特征在于，包括：

顯示區(qū)和圍繞所述顯示區(qū)的非顯示區(qū)；所述顯示區(qū)包括第一邊緣，所述第一邊緣包括第一凹陷段，所述第一凹陷段朝向所述顯示區(qū)內(nèi)部凹陷；

多個(gè)像素，所述多個(gè)像素呈陣列排布；

多條柵極線，所述柵極線包括第一柵極線和第二柵極線；所述顯示區(qū)包括第一顯示區(qū)和第二顯示區(qū)；所述第一柵極線位于所述第一顯示區(qū)，所述第二柵極線位于所述第二顯示區(qū)，其中，與所述第一柵極線電連接的所述像素的數(shù)量小于與所述第二柵極線電連接的所述像素的數(shù)量，所述第一顯示區(qū)與所述第一凹陷段相鄰；

所述非顯示區(qū)包括多個(gè)垂直移位寄存器，所述垂直移位寄存器包括第一垂直移位寄存器和第二垂直移位寄存器，所述第一垂直移位寄存器的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出端與所述第一柵極線電連接，所述第二垂直移位寄存器的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出端與所述第二柵極線電連接，所述第一垂直移位寄存器的輸出電流與所述第二垂直移位寄存器的輸出電流不相等；

同一所述第一柵極線與一個(gè)所述第一垂直移位寄存器電連接，同一所述第二柵極線分別與兩個(gè)所述第二垂直移位寄存器電連接；所述第一垂直移位寄存器的輸出電流大于所述第二垂直移位寄存器的輸出電流。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述垂直移位寄存器包括鎖存單元、與非門和輸出晶體管，還包括第一信號(hào)輸入端、第一時(shí)鐘信號(hào)輸入端、第二時(shí)鐘信號(hào)輸入端、移位信號(hào)輸出端和驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出端；

所述第一信號(hào)輸入端和所述第一時(shí)鐘信號(hào)輸入端分別連接所述鎖存單元，所述鎖存單元的第一輸出端作為所述移位信號(hào)輸出端；所述鎖存單元的第二輸出端和所述第二時(shí)鐘信號(hào)輸入端分別連接所述與非門，所述與非門的輸出端連接到所述輸出晶體管；所述輸出晶體管的輸出端作為所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出端。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括襯底基板和設(shè)置在所述襯底基板上的多晶硅層、第一金屬層和第二金屬層，所述輸出晶體管包括位于所述第二金屬層的源極和漏極；所述源極和漏極在所述襯底基板所在平面的正投影與所述多晶硅層至少部分交疊；

所述第一垂直移位寄存器中，所述輸出晶體管的源極與所述多晶硅層交疊的區(qū)域的長(zhǎng)度為W1，所述源極與所述漏極在所述襯底基板所在平面的正投影之間的距離為L(zhǎng)1，假設(shè)W1/L1＝X1；

所述第二垂直移位寄存器中，所述輸出晶體管的源極與所述多晶硅層交疊的區(qū)域的長(zhǎng)度為W2，所述源極與所述漏極在所述襯底基板所在平面的正投影之間的距離為L(zhǎng)2，假設(shè)W2/L2＝Y(jié)1。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，Y1＜X1＜2*Y1。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第一垂直移位寄存器交替分布于所述第一柵極線的兩側(cè)。

6.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1至5之任一所述的顯示面板。