[發明專利]導電膜

有效

• 申請號: 201811588551.9
• 申請日: 2018-12-25
• 公開（公告）號: CN111370163B
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 江州;劉立冬;孫超
• 申請（專利權）人: 昇印光電（昆山）股份有限公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01R4/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種導電膜，其特征在于，其包括：

基材層，其包括相對設置的第一側面和第二側面；

承載層，設于所述第一側面，所述承載層遠離基材層一側設有相互不連通的第一凹槽、第二凹槽、第一穿孔以及第二穿孔；

導電區，所述第一凹槽內填充導電材料形成所述導電區；所述第一穿孔位于所述導電區邊緣處，且所述第一穿孔中填充導電材料且與所述導電區電連接；

引線，所述第二凹槽內填充導電材料形成所述引線；所述第二穿孔位于所述引線邊緣處，且所述第二穿孔中填充導電材料與所述引線電連接；

搭接部，設置于所述基材層上，位于所述導電區以及所述引線之間，所述搭接部位于所述基材層和承載層之間，且所述搭接部由導電材料構成；

其中，第一穿孔以及第二穿孔中的導電材料與所述搭接部電連接，使的所述導電區與所述引線電連接。

2.根據權利要求1所述的導電膜，其特征在于，所述搭接部通過絲印、噴墨打印、濺射、蒸鍍方式形成于所述基材層上。

3.根據權利要求1所述的導電膜，其特征在于，所述第一凹槽的寬度不小于所述第二凹槽的寬度，和/或，所述第二凹槽的深度大于所述第一凹槽的深度。

4.根據權利要求3所述的導電膜，其特征在于，所述第一凹槽位于所述第一側面的開口寬度大于位于第一凹槽底部的寬度；和/或，所述第二凹槽位于所述第一側面的開口寬度大于位于第二凹槽底部的寬度。

5.根據權利要求4所述的導電膜，其特征在于，所述第一凹槽包括第一底壁及連接所述第一底壁兩側的兩第一側壁，所述第一底壁和兩第一側壁中至少一個為弧形壁；和/或，所述第二凹槽包括第二底壁及連接所述第二底壁兩側的兩第二側壁，所述第二底壁和兩第二側壁中至少一個為弧形壁。

6.根據權利要求1或2所述的導電膜，其特征在于，所述導電區包括相互連通的第一網格，所述引線包括相互連通的第二網格，所述搭接部通過第一穿孔以及第二穿孔電性搭接所述第一網格和所述第二網格。

7.根據權利要求6所述的導電膜，其特征在于，所述搭接部為網格狀，所述搭接部通過第一穿孔以及第二穿孔連接至少一根第一網格的網格線和至少一根第二網格的網格線。

8.根據權利要求6所述的導電膜，其特征在于，所述搭接部呈線狀，所述第一網格的網格線通過第一穿孔連接所述搭接部，所述第二網格的網格線通過第二穿孔連接所述搭接部。

9.根據權利要求1所述的導電膜，其特征在于，所述第一凹槽以及第二凹槽的底部距離所述承載層第一側面的距離不小于50nm。

10.根據權利要求1所述的導電膜，其特征在于，所述引線為網格狀或者為實線狀。