[發明專利]顯示裝置有效
| 申請號: | 201811588444.6 | 申請日: | 2018-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN109671765B | 公開(公告)日: | 2021-03-23 |
| 發明(設計)人: | 呂紹平;謝嘉定;劉品妙;郭家瑋;林雨潔 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京市立康律師事務所 11805 | 代理人: | 梁揮;孟超 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
本發明實施例的顯示裝置包括多個子像素區。各個子像素區包括至少兩個發光元件、第一電極、第二電極以及連接電極。至少兩個發光元件具有彼此相異的主波長范圍。第一電極電性連接至所述至少兩個發光元件的其中一者的一端。第二電極電性連接至所述至少兩個發光元件的所述其中一者的另一端,且電性連接至相鄰的子像素區的其中一發光元件。電性連接至同一第二電極的所述兩個發光元件具有實質上相同的主波長范圍。連接電極電性連接于第二電極與分別位于兩相鄰子像素區中具有實質上相同的主波長范圍的所述兩個發光元件之間。
技術領域
本發明是有關于一種顯示裝置,且特別是有關于一種發光二極管顯示裝置。
背景技術
發光二極管具有能量轉換效率高、反應時間短、使用壽命長等優點。因此,近年來發光二極管成為兼具省電與環保特點的主要照明光源。再者,由于發光二極管制作尺寸上的突破,一種將發光二極管轉置于像素結構中以形成微發光二極管顯示器(micro LEDdisplay)的技術逐漸出現在市場上。
微發光二極管顯示器的多個子像素區內有各自呈現的色光,若將不同顏色的發光二極管設置于每一像素的中間區域則可能因為制程偏移或設計間距設計不當而造成某些畫面不連續或混色不均的問題。
發明內容
本發明提供一種顯示裝置,可解決某些畫面不連續或混色不均的問題,且可提高解析度。
本發明的顯示裝置包括多個子像素區。各個子像素區包括至少兩個發光元件、第一電極、第二電極以及連接電極。至少兩個發光元件具有彼此相異的主波長范圍。第一電極電性連接至所述至少兩個發光元件的其中一者的一端。第二電極電性連接至所述至少兩個發光元件的該其中一者的另一端,且電性連接至相鄰的子像素區的其中一發光元件。電性連接至同一第二電極的所述兩個發光元件具有實質上相同的主波長范圍。連接電極電性連接于第二電極與分別位于兩相鄰子像素區中具有實質上相同的主波長范圍的所述兩個發光元件之間。
在本發明的一些實施例中,顯示裝置更包括傳輸電極。傳輸電極電性連接于第一電極與分別位于兩相鄰子像素區中具有實質上相同的主波長范圍的所述兩個發光元件之間。
在本發明的一些實施例中,多個子像素區中的至少一者的發光元件數量大于或等于3。
在本發明的一些實施例中,具有小于3個發光元件的子像素區的數量為具有3個以上發光元件的所述至少一子像素區的數量的兩倍以上。
在本發明的一些實施例中,具有3個以上發光元件的所述至少一子像素區中的至少兩個發光元件具有實質上相同的主波長范圍。
在本發明的一些實施例中,具有3個以上發光元件的所述至少一子像素區中的多個發光元件的主波長范圍彼此相異。
在本發明的一些實施例中,各個子像素區中的至少一發光元件的主波長范圍為610nm至700nm。
在本發明的一些實施例中,各個子像素區包括多個第一電極,且各個發光元件位于多個第一電極中相鄰兩者之間。
在本發明的一些實施例中,各個子像素區更包括信號線。信號線電性連接于至少兩個發光元件的其中一者,且各個子像素區的信號線的延伸方向與第一電極的延伸方向交錯。
在本發明的一些實施例中,多個子像素區中每相鄰的至少三者構成一重復單元,且各個重復單元中的至少3個子像素區的發光元件主波長范圍的組合彼此相異。
在本發明的一些實施例中,重復單元中的多個發光元件的位置以此重復單元的中心對稱配置。
在本發明的一些實施例中,重復單元的中心所在的子像素區中的發光元件數量分別大于與其相鄰的子像素區的發光元件數量。
在本發明的一些實施例中,重復單元的中心所在的子像素區中的多個發光元件鄰近于此中心,而與其相鄰的子像素區的多個發光元件配置于此些子像素區的邊緣。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





