[發明專利]像素電路有效
| 申請號: | 201811588348.1 | 申請日: | 2018-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN109523947B | 公開(公告)日: | 2020-08-25 |
| 發明(設計)人: | 林志隆;曾金賢;張瑞宏;陳柏勳;鄭貿薰 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/32 | 分類號: | G09G3/32;G09G3/3225 |
| 代理公司: | 北京市立康律師事務所 11805 | 代理人: | 梁揮;孟超 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 電路 | ||
一種像素電路,包含一驅動晶體管、一發光單元、一寫入電路、一電壓調節電路和一補償電路。驅動晶體管的第一端用于接收一發光控制信號,驅動晶體管的第二端耦接于一第一節點,驅動晶體管的控制端耦接于一第二節點。發光單元包含一陽極端和一陰極端,陽極端耦接于第一節點,陰極端用于接收一參考電壓。寫入電路耦接于第二節點和一第三節點,用于依據一第一控制信號和一數據電壓決定一第二節點電壓。電壓調節電路耦接于第三節點,用于依據一第二控制信號和發光控制信號決定一第三節點電壓。補償電路耦接于第一節點和第三節點,用于依據一第三控制信號和發光控制信號決定第三節點電壓。
技術領域
本發明有關一種像素電路,尤指一種可補償驅動晶體管的臨界電壓變異的像素電路。
背景技術
低溫多晶硅薄膜晶體管(low temperature poly-silicon thin-filmtransistor)具有高載流子遷移率與尺寸小的特點,適合應用于高解析度、窄邊框以及低耗電的顯示面板。目前業界廣泛使用準分子激光退火(excimer laser annealing)技術來形成低溫多晶硅薄膜晶體管的多晶硅薄膜。然而,由于準分子激光每一發的掃描功率并不穩定,不同區域的多晶硅薄膜會具有晶粒尺寸與數量的差異。因此,于顯示面板的不同區域中,低溫多晶硅薄膜晶體管的特性便會不同。例如,不同區域的低溫多晶硅薄膜晶體管會有著不同的臨界電壓(threshold voltage)。另外,顯示面板提供給不同區域的像素電路的電源電壓,會因為導線上的等效阻抗而產生不同程度的壓降。
當顯示面板的電源電壓或是驅動晶體管的臨界電壓隨著區域不同而變異時,顯示面板將會面臨顯示畫面不均勻的問題。
有鑒于此,如何提供具有均勻顯示畫面的低溫多晶硅顯示面板,實為業界有待解決的問題。
發明內容
本發明提供一種像素電路。該像素電路包含一驅動晶體管、一發光單元、一寫入電路、一電壓調節電路和一補償電路。該驅動晶體管包含一第一端、一第二端和一控制端,其中該驅動晶體管的該第一端用于接收一發光控制信號,該驅動晶體管的該第二端耦接于一第一節點,該驅動晶體管的該控制端耦接于一第二節點。該發光單元包含一陽極端和一陰極端,該陽極端耦接于該第一節點,該陰極端用于接收一參考電壓。該寫入電路耦接于該第二節點和一第三節點,用于依據一第一控制信號和一數據電壓決定該第二節點的一第二節點電壓。該電壓調節電路耦接于該第三節點,用于依據一第二控制信號和該發光控制信號決定該第三節點的一第三節點電壓。該補償電路耦接于該第一節點和該第三節點,用于依據一第三控制信號和該發光控制信號決定該第三節點電壓。
將上述的像素電路應用于顯示面板中,可以使顯示面板具有均勻的顯示畫面。
以下結合附圖和具體實施例對本發明進行詳細描述,但不作為對本發明的限定。
附圖說明
圖1為根據本發明一實施例的像素電路簡化后的功能方塊圖。
圖2為根據本發明一實施例的顯示面板簡化后的功能方塊圖。
圖3為根據本發明一實施例的圖1的像素電路的運作時序圖。
圖4為圖1的像素電路于補償階段的等效電路操作示意圖。
圖5為圖1的像素電路于寫入階段的等效電路操作示意圖。
圖6為圖1的像素電路于發光階段的等效電路操作示意圖。
其中,附圖標記:
100:像素電路
110:驅動晶體管
120:寫入電路
122:第一開關
124:第一電容
130:電壓調節電路
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