[發明專利]熱處理方法及熱處理裝置有效
| 申請號: | 201811588340.5 | 申請日: | 2018-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN110211895B | 公開(公告)日: | 2023-07-25 |
| 發明(設計)人: | 秋吉克一;大森麻央;池田真一 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/324 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 陳甜甜 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 熱處理 方法 裝置 | ||
1.一種熱處理方法,其特征在于:通過對襯底照射閃光燈光而加熱該襯底;且具備:
預加熱工程,從連續點亮燈照射光而將襯底加熱至預加熱溫度;
閃光燈光照射工程,從閃光燈對所述襯底的表面照射閃光燈光;
溫度測定工程,以特定的采樣間隔測定所述襯底的背面的溫度而獲得多個溫度測定值;
累計工程,將所述多個溫度測定值中的從所述閃光燈光的照射開始時以后的累計開始時點起獲得的設定數量的溫度測定值依次相加,而算定溫度累計值;以及
判定工程,基于所述溫度累計值來判定所述襯底的破裂;且
在所述判定工程中,當所述溫度累計值偏離預先設定的上限值及下限值的范圍時,判定所述襯底破裂;
所述上限值及所述下限值是以在未產生破裂時所求出的溫度累計值作為標準值,并對所述標準值分別加上及減去特定閾值所得的值。
2.根據權利要求1所述的熱處理方法,其特征在于:
還具備設定所述上限值及所述下限值的設定工程。
3.根據權利要求1或2所述的熱處理方法,其特征在于:
所述累計開始時點是所述襯底的溫度相比所述預加熱溫度上升了設定溫度的時點。
4.一種熱處理裝置,其特征在于:通過對襯底照射閃光燈光而加熱該襯底;且具備:
腔室,收容襯底;
基座,在所述腔室內保持襯底;
連續點亮燈,對保持在所述基座的所述襯底照射光而加熱至預加熱溫度;
閃光燈,對所述襯底的表面照射閃光燈光;
放射溫度計,以特定的采樣間隔測定所述襯底的背面的溫度而獲得多個溫度測定值;
累計部,將所述多個溫度測定值中的從所述閃光燈光的照射開始時以后的累計開始時點起獲得的設定數量的溫度測定值依次相加,而算定溫度累計值;以及
判定部,基于所述溫度累計值來判定所述襯底的破裂;且
所述判定部是當所述溫度累計值偏離預先設定的上限值及下限值的范圍時,判定所述襯底破裂;
所述上限值及所述下限值是以在未產生破裂時所求出的溫度累計值作為標準值,并對所述標準值分別加上及減去特定閾值所得的值。
5.根據權利要求4所述的熱處理裝置,其特征在于:
還具備設定所述上限值及所述下限值的設定部。
6.根據權利要求4或5所述的熱處理裝置,其特征在于:
所述累計開始時點是所述襯底的溫度相比所述預加熱溫度上升了設定溫度的時點。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





