[發明專利]半導體裝置和顯示裝置

在審

• 申請號: 201811588049.8
• 申請日: 2018-12-25
• 公開（公告）號: CN110021639A
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發明（設計）人: 石山雄一郎
• 申請（專利權）人: 株式會社日本有機雷特顯示器
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 李雪春;王維玉

1.一種半導體裝置，具備：

基板，包括有機絕緣材料和分散在所述有機絕緣材料中的多個微導體；以及

半導體元件，設置在所述基板上。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

進一步具有所述基板與所述半導體元件之間的無機絕緣膜。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述有機絕緣材料含有聚酰亞胺。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述基板的表面電阻率小于等于10⁹Ω/sq。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述微導體的直徑小于等于2μm。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述基板具有第一面和第二面，所述第一面設置有所述半導體元件，所述第二面與所述第一面對置，

在所述基板中，所述第二面側的所述微導體的密度比所述第一面側的所述微導體的密度高。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述基板包括層疊的第一層和第二層，

所述多個微導體設置在所述第一層和所述第二層的至少一方。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中，

進一步具有設置在所述第一層與所述第二層之間的絕緣層。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述基板具有高密度區域和低密度區域，所述高密度區域具有所定的所述微導體的密度，所述低密度區域的所述微導體的密度比所述高密度區域的所述微導體的密度低。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其中，

進一步具有布線，

所述布線設置在所述基板上，并且與所述高密度區域和所述低密度區域中的所述低密度區域對置。

11.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述基板連接于接地電位。

12.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述半導體元件是薄膜晶體管。

13.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述基板是彈性基板。

14.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述微導體含有金屬或碳。

15.一種顯示裝置，具備：

基板，包括有機絕緣材料和分散在所述有機絕緣材料中的多個微導體；

半導體元件，設置在所述基板上；以及

顯示元件層，設置在所述半導體元件上且包括多個像素。