[發(fā)明專利]背入射式共面電極光電芯片及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811587546.6
• 申請日: 2018-12-25
• 公開（公告）號: CN109801983A
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊彥偉;劉宏亮;劉格;鄒顏
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市芯思杰智慧傳感技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0232;H01L31/18
• 代理公司: 深圳智匯遠(yuǎn)見知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44481
• 代理人: 田俊峰

1.一種背入射式共面電極光電芯片，其特征在于：包括襯底、緩沖層、吸收層和頂層；所述芯片上開設(shè)分光孔，所述分光孔貫穿所述吸收層；所述頂層內(nèi)設(shè)有光敏區(qū)，所述光敏區(qū)的內(nèi)端與所述吸收層相連接；

所述芯片的正面上設(shè)有相互絕緣設(shè)置的第一電極和第二電極，所述第一電極與所述光敏區(qū)的外端相連接，所述第二電極與所述緩沖層相連接；

所述芯片的背面為入光側(cè)，所述分光孔用于將入射光的一部分透射分出，入射光的另一部分進(jìn)入到所述吸收層進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于：所述芯片上還開設(shè)有電極安裝槽，所述電極安裝槽向所述芯片正面的方向開口；所述電極安裝槽貫穿所述吸收層和所述頂層，并且內(nèi)端位于所述緩沖層；所述第二電極設(shè)于所述電極安裝槽的內(nèi)端。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于：所述分光孔向所述芯片正面的方向開口，所述分光孔還貫穿所述頂層并內(nèi)端位于所述緩沖層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于：所述芯片的正面上設(shè)有鈍化膜，所述鈍化膜上開設(shè)有用于設(shè)置所述第一電極的第一電極通孔和用于設(shè)置所述第二電極的第二電極通孔。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于：所述分光孔貫穿所述芯片的部分或全部。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于：所述芯片的背面設(shè)有入光增透膜，所述入光增透膜的面積大于所述分光孔沿平行于所述芯片表面方向的橫截面積。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片，其特征在于：所述分光孔的內(nèi)端設(shè)有分光增透膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于：所述第一電極和所述光敏區(qū)在沿平行于所述芯片表面的方向上的橫截面均為環(huán)形，所述第一電極和所述光敏區(qū)均圍繞所述分光孔設(shè)置。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的芯片，其特征在于：所述芯片的背面還設(shè)有反光層，所述反光層上開設(shè)有用于設(shè)置所述入光增透膜的增透膜孔，所述反光層由反光材料制成。

10.一種背入射式共面電極光電芯片的制備方法，其特征在于：包括：

依次生長襯底、緩沖層、吸收層和頂層；

在所述頂層內(nèi)摻雜P型材料并擴(kuò)散至所述吸收層，形成光敏區(qū)；

在所述芯片上開設(shè)分光孔，所述分光孔貫穿所述吸收層；

在所述芯片的正面上制作第一電極，所述第一電極與所述光敏區(qū)的外端相連接；

在所述芯片的正面上制作第二電極，所述第二電極與所述緩沖層相連接。